high-speed analog N-channel enhancement-mode dmos fets
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Calogic |
| 零件包装代码 | TO-52 |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-XBCY-W4 |
| 针数 | 4 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | LOW NOISE |
| 外壳连接 | SUBSTRATE |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 20 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.05 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.05 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 0.3 pF |
| 最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JEDEC-95代码 | TO-52 |
| JESD-30 代码 | O-XBCY-W4 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 1.8 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.3 W |
| 最小功率增益 (Gp) | 8 dB |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| SD202DC | SD200 | SD203DC | SD201DC | SD200DC | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | high-speed analog N-channel enhancement-mode dmos fets | high-speed analog N-channel enhancement-mode dmos fets | high-speed analog N-channel enhancement-mode dmos fets | high-speed analog N-channel enhancement-mode dmos fets | high-speed analog N-channel enhancement-mode dmos fets |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 0.3 pF | 0.3 pF | 0.3 pF | 0.3 pF | 0.3 pF |
| JEDEC-95代码 | TO-52 | TO-72 | TO-52 | TO-52 | TO-52 |
| JESD-30 代码 | O-XBCY-W4 | O-MBCY-W4 | O-XBCY-W4 | O-XBCY-W4 | O-XBCY-W4 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | METAL | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO |
| 端子形式 | WIRE | WIRE | WIRE | WIRE | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER | SWITCHING | AMPLIFIER | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 | - | 不符合 | - |
| 厂商名称 | Calogic | Calogic | - | Calogic | Calogic |
| 零件包装代码 | TO-52 | - | TO-52 | TO-52 | TO-52 |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-XBCY-W4 | - | CYLINDRICAL, O-XBCY-W4 | CYLINDRICAL, O-XBCY-W4 | CYLINDRICAL, O-XBCY-W4 |
| 针数 | 4 | - | 4 | 4 | 4 |
| 其他特性 | LOW NOISE | - | LOW NOISE | LOW NOISE | LOW NOISE |
| 外壳连接 | SUBSTRATE | - | SUBSTRATE | SUBSTRATE | SUBSTRATE |
| 最小漏源击穿电压 | 20 V | - | 20 V | 25 V | 25 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.05 A | - | 0.05 A | 0.05 A | 0.05 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.05 A | - | 0.05 A | 0.05 A | 0.05 A |
| 最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | - | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| 最高工作温度 | 125 °C | - | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | - |
| 功耗环境最大值 | 1.8 W | - | 1.8 W | 1.8 W | 1.8 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.3 W | - | 0.3 W | 0.3 W | 0.3 W |
| 最小功率增益 (Gp) | 8 dB | - | 8 dB | 8 dB | 8 dB |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | - |
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