电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

U635H64BSK35G1

产品描述powerstore 8K x 8 nvsram
产品类别存储    存储   
文件大小137KB,共14页
制造商Simtek
官网地址http://www.simtek.com
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

U635H64BSK35G1概述

powerstore 8K x 8 nvsram

U635H64BSK35G1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Simtek
包装说明SOP,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间35 ns
JESD-30 代码R-PDSO-G28
JESD-609代码e3
长度18.11 mm
内存密度65536 bit
内存集成电路类型NON-VOLATILE SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织8KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.845 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度8.407 mm

U635H64BSK35G1相似产品对比

U635H64BSK35G1 U635H64D1C35G1 U635H64BSC25G1 U635H64D1C25G1 U635H64BSC35G1 U635H64D1K25G1 U635H64BSK45G1 U635H64D1C45G1 U635H64BSK25G1 U635H64BSC45G1
描述 powerstore 8K x 8 nvsram powerstore 8K x 8 nvsram powerstore 8K x 8 nvsram powerstore 8K x 8 nvsram powerstore 8K x 8 nvsram powerstore 8K x 8 nvsram powerstore 8K x 8 nvsram powerstore 8K x 8 nvsram powerstore 8K x 8 nvsram powerstore 8K x 8 nvsram
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Simtek Simtek Simtek Simtek Simtek Simtek Simtek Simtek Simtek Simtek
包装说明 SOP, DIP, SOP, DIP, SOP, DIP, SOP, DIP, SOP, SOP,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 35 ns 35 ns 25 ns 25 ns 35 ns 25 ns 45 ns 45 ns 25 ns 45 ns
JESD-30 代码 R-PDSO-G28 R-PDIP-T28 R-PDSO-G28 R-PDIP-T28 R-PDSO-G28 R-PDIP-T28 R-PDSO-G28 R-PDIP-T28 R-PDSO-G28 R-PDSO-G28
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3 e3 e3 e3 e3 e3
长度 18.11 mm 36.83 mm 18.11 mm 36.83 mm 18.11 mm 36.83 mm 18.11 mm 36.83 mm 18.11 mm 18.11 mm
内存密度 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit
内存集成电路类型 NON-VOLATILE SRAM NON-VOLATILE SRAM NON-VOLATILE SRAM NON-VOLATILE SRAM NON-VOLATILE SRAM NON-VOLATILE SRAM NON-VOLATILE SRAM NON-VOLATILE SRAM NON-VOLATILE SRAM NON-VOLATILE SRAM
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28
字数 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words
字数代码 8000 8000 8000 8000 8000 8000 8000 8000 8000 8000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 85 °C 85 °C 70 °C 85 °C 70 °C
组织 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP DIP SOP DIP SOP DIP SOP DIP SOP SOP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 2.845 mm 4.57 mm 2.845 mm 4.57 mm 2.845 mm 4.57 mm 2.845 mm 4.57 mm 2.845 mm 2.845 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES NO YES NO YES NO YES NO YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 8.407 mm 15.24 mm 8.407 mm 15.24 mm 8.407 mm 15.24 mm 8.407 mm 15.24 mm 8.407 mm 8.407 mm
有关修改设备逻辑类型的问题?
在协议栈中添加了NV_INIT,不知为何第一次无法修改设备逻辑类型,总是以协调器的身份启动而不是我配置的路由器设备启动。而没加却可以,请问下这是为什么呢?#if defined ( BUILD_ALL_DEVICES )// The "Demo" target is setup to have BUILD_ALL_DEVICES and HOLD_AUTO_START//We are lookin...
wateras1 RF/无线
vs2005下安装platform builder插件后设置winceroot问题
先安装好vs2005,再装上Embedded CE 6.0用vs2005建立Platform Builder for CE 6.0工程时,提示要先设置好 WINCEROOT才能使用。请问高人,怎么设置WINCEROOT??十分感谢...
maky WindowsCE
24LC02B有时候不能读写
MSP430F149与24LC02B I2C通讯,存储电机脉冲数据,每次动作结束的时候存储一次,用写进去再读出来的方法验证数据是否存储成功,当存储成功时,指示灯亮,不成功时,while循环再次写读指示灯闪烁。问题是:读写成功的机会是随机的,有时候能读写成功,有时候就进入while循环出不来了,不管读写多少次都无法成功,必须重启程序。请教各位可能是什么原因导致的?...
simonprince 微控制器 MCU
大家知道如何通过高频电磁波合成1-20hz低频电磁波?方式是什么
大家知道如何通过高频电磁波合成1-20hz低频电磁波?方式是什么...
赵人人 RF/无线
wavescan 可以一下子读入批量psf吗?
cadence 中的 wavescan 能够一下子读取多个psf吗?比如ocean产生多个corner的结果,放在不同的路径下。sx可以实现,不过sx的结果会有一点点差别,所以不是很愿意用。我试着找些文档,看看能否用skill/tcl等command的方式进行,不过没有找到。所以特此请求大虾们。...
天目 嵌入式系统
uC/GUI 怎样清除上一次显示的数字 ?
我显示时间小时,分钟,秒,但会覆盖在这个函数GUI_DispDecAt(hour,100,180,2);之前应该有个清除的函数,是哪一个呢?hMem2 = GUI_MEMDEV_Create(100,180,110,18);// 建立存储设备GUI_MEMDEV_Select(hMem2); //激活存储设备GUI_SetFont(&GUI_FontComic18B_ASCII);GUI_Disp...
wpm526 实时操作系统RTOS

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 675  693  1232  1410  1683 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved