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U630H16PC35

产品描述hardstore 2K x 8 nvsram
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文件大小176KB,共17页
制造商Simtek
官网地址http://www.simtek.com
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U630H16PC35概述

hardstore 2K x 8 nvsram

U630H16PC35规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Simtek
包装说明QCCN,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间35 ns
JESD-30 代码R-PQCC-N32
JESD-609代码e0
内存密度16384 bit
内存集成电路类型NON-VOLATILE SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数2048 words
字数代码2000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCN
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式NO LEAD
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

U630H16PC35相似产品对比

U630H16PC35 U630H16PC35G1 U630H16P
描述 hardstore 2K x 8 nvsram hardstore 2K x 8 nvsram hardstore 2K x 8 nvsram
是否Rohs认证 不符合 符合 -
厂商名称 Simtek Simtek -
包装说明 QCCN, QCCN, -
Reach Compliance Code unknown unknown -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
最长访问时间 35 ns 35 ns -
JESD-30 代码 R-PQCC-N32 R-PQCC-N32 -
JESD-609代码 e0 e3 -
内存密度 16384 bit 16384 bit -
内存集成电路类型 NON-VOLATILE SRAM NON-VOLATILE SRAM -
内存宽度 8 8 -
功能数量 1 1 -
端子数量 32 32 -
字数 2048 words 2048 words -
字数代码 2000 2000 -
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS -
最高工作温度 70 °C 70 °C -
组织 2KX8 2KX8 -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装代码 QCCN QCCN -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER -
并行/串行 PARALLEL PARALLEL -
认证状态 Not Qualified Not Qualified -
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V -
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V -
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V -
表面贴装 YES YES -
技术 CMOS CMOS -
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL -
端子面层 Tin/Lead (Sn85Pb15) Matte Tin (Sn) -
端子形式 NO LEAD NO LEAD -
端子位置 QUAD QUAD -

 
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