darlington 5 ampere complementary silicon power transistors
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 其他特性 | LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE |
| 外壳连接 | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 5 A |
| 基于收集器的最大容量 | 300 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 80 V |
| 配置 | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 1000 |
| JEDEC-95代码 | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 功耗环境最大值 | 65 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 65 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 4 MHz |
| VCEsat-Max | 4 V |
| Base Number Matches | 1 |
| TIP126 | TIP127 | |
|---|---|---|
| 描述 | darlington 5 ampere complementary silicon power transistors | darlington 5 ampere complementary silicon power transistors |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| 其他特性 | LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE | LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE |
| 外壳连接 | COLLECTOR | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 5 A | 5 A |
| 基于收集器的最大容量 | 300 pF | 300 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 80 V | 100 V |
| 配置 | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 1000 | 1000 |
| JEDEC-95代码 | TO-220AB | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | PNP | PNP |
| 功耗环境最大值 | 65 W | 65 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 65 W | 65 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 4 MHz | 4 MHz |
| VCEsat-Max | 4 V | 4 V |
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