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TIP147F

产品描述pnp (high DC current gain)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小175KB,共4页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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TIP147F概述

pnp (high DC current gain)

TIP147F规格参数

参数名称属性值
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码TO-3PF
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)10 A
集电极-发射极最大电压100 V
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)500
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)60 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON

TIP147F相似产品对比

TIP147F TIP146F TIP145F
描述 pnp (high DC current gain) pnp (high DC current gain) pnp (high DC current gain)
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
零件包装代码 TO-3PF TO-3PF TO-3PF
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 10 A 10 A 10 A
集电极-发射极最大电压 100 V 80 V 60 V
配置 DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 500 500 500
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 60 W 60 W 60 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
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