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3N166

产品描述monolithic dual P-channel enhancement mode mosfet
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小17KB,共2页
制造商Linear ( ADI )
官网地址http://www.analog.com/cn/index.html
标准
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3N166概述

monolithic dual P-channel enhancement mode mosfet

3N166规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-99
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W6
针数6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性VERY HIGH INPUT IMPEDANCE
配置COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)0.05 A
最大漏源导通电阻300 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)0.7 pF
JEDEC-95代码TO-99
JESD-30 代码O-MBCY-W6
元件数量2
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

3N166相似产品对比

3N166 3N165-6 3N165
描述 monolithic dual P-channel enhancement mode mosfet monolithic dual P-channel enhancement mode mosfet monolithic dual P-channel enhancement mode mosfet
是否无铅 不含铅 - 不含铅
是否Rohs认证 符合 - 符合
零件包装代码 TO-99 - TO-99
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W6 - CYLINDRICAL, O-MBCY-W6
针数 6 - 6
Reach Compliance Code compliant - compliant
ECCN代码 EAR99 - EAR99
其他特性 VERY HIGH INPUT IMPEDANCE - VERY HIGH INPUT IMPEDANCE
配置 COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS - COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压 30 V - 40 V
最大漏极电流 (ID) 0.05 A - 0.05 A
最大漏源导通电阻 300 Ω - 300 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 0.7 pF - 0.7 pF
JEDEC-95代码 TO-99 - TO-99
JESD-30 代码 O-MBCY-W6 - O-MBCY-W6
元件数量 2 - 2
端子数量 6 - 6
工作模式 ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C - 150 °C
封装主体材料 METAL - METAL
封装形状 ROUND - ROUND
封装形式 CYLINDRICAL - CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
极性/信道类型 P-CHANNEL - P-CHANNEL
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
表面贴装 NO - NO
端子形式 WIRE - WIRE
端子位置 BOTTOM - BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - SILICON
Base Number Matches 1 - 1
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