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TLC271IPE4

产品描述Operational Amplifiers - Op Amps LinCMOS Prog Low-Power
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小2MB,共83页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
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TLC271IPE4概述

Operational Amplifiers - Op Amps LinCMOS Prog Low-Power

TLC271IPE4规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP8,.3
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.00006 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.00006 µA
最小共模抑制比65 dB
标称共模抑制比80 dB
频率补偿YES
最大输入失调电压13000 µV
JESD-30 代码R-PDIP-T8
JESD-609代码e4
长度9.81 mm
低-偏置YES
低-失调NO
功能数量1
端子数量8
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
包装方法TUBE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源4/16 V
可编程功率YES
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
标称压摆率2.9 V/us
最大压摆率2.5 mA
供电电压上限18 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽1700 kHz
最小电压增益10000
宽度7.62 mm

TLC271IPE4相似产品对比

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描述 Operational Amplifiers - Op Amps LinCMOS Prog Low-Power Operational Amplifiers - Op Amps Programmable Lo-Pwr Op Amp Operational Amplifiers - Op Amps Programmable Lo-Pwr Op Amp Operational Amplifiers - Op Amps Programmable Lo-Pwr Op Amp Operational Amplifiers - Op Amps Programmable Lo-Pwr Op Amp
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码 DIP SOIC DIP DIP DIP
包装说明 DIP, DIP8,.3 SOP, SOP8,.3 DIP, DIP8,.3 DIP, DIP8,.3 DIP, DIP8,.3
针数 8 8 8 8 8
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
架构 VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB) 0.00006 µA 0.00006 µA 0.00006 µA 0.00006 µA 0.00006 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB) 0.00006 µA 0.00006 µA 0.00006 µA 0.00006 µA 0.00006 µA
标称共模抑制比 80 dB 80 dB 80 dB 80 dB 80 dB
频率补偿 YES YES YES YES YES
最大输入失调电压 13000 µV 6500 µV 6500 µV 3500 µV 3000 µV
JESD-30 代码 R-PDIP-T8 R-PDSO-G8 R-PDIP-T8 R-PDIP-T8 R-PDIP-T8
JESD-609代码 e4 e4 e4 e4 e4
长度 9.81 mm 6.2 mm 9.81 mm 9.59 mm 9.59 mm
低-偏置 YES YES YES YES YES
低-失调 NO NO NO NO NO
功能数量 1 1 1 1 1
端子数量 8 8 8 8 8
最高工作温度 125 °C 70 °C 70 °C 125 °C 70 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP SOP DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP8,.3 SOP8,.3 DIP8,.3 DIP8,.3 DIP8,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
包装方法 TUBE TAPE AND REEL TUBE TUBE TUBE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 4/16 V 3/16 V 3/16 V 4/16 V 3/16 V
可编程功率 YES YES YES YES YES
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm 2 mm 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm
标称压摆率 2.9 V/us 2.9 V/us 2.9 V/us 2.9 V/us 2.9 V/us
最大压摆率 2.5 mA 2.2 mA 2.2 mA 2.5 mA 2.2 mA
供电电压上限 18 V 18 V 18 V 18 V 18 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO YES NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE COMMERCIAL COMMERCIAL AUTOMOTIVE COMMERCIAL
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽 1700 kHz 1700 kHz 1700 kHz 1700 kHz 1700 kHz
最小电压增益 10000 4000 10000 10000 10000
宽度 7.62 mm 5.3 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm
最小共模抑制比 65 dB - 65 dB 65 dB 65 dB
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