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TLV2721IDBVTG4

产品描述Operational Amplifiers - Op Amps Single LinCMOS R-To-R Very Lo-Power
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小705KB,共28页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
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TLV2721IDBVTG4概述

Operational Amplifiers - Op Amps Single LinCMOS R-To-R Very Lo-Power

TLV2721IDBVTG4规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码SOT-23
包装说明GREEN, PLASTIC, SOT-23, 5 PIN
针数5
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.00015 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.00006 µA
最小共模抑制比65 dB
标称共模抑制比82 dB
频率补偿YES
最大输入失调电压3000 µV
JESD-30 代码R-PDSO-G5
JESD-609代码e4
长度2.9 mm
低-偏置YES
低-失调NO
微功率YES
湿度敏感等级1
负供电电压上限
标称负供电电压 (Vsup)
功能数量1
端子数量5
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LSSOP
封装等效代码TSOP5/6,.11,37
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法TAPE AND REEL
峰值回流温度(摄氏度)260
功率NO
电源3/5 V
可编程功率NO
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.45 mm
最小摆率0.05 V/us
标称压摆率0.25 V/us
最大压摆率0.2 mA
供电电压上限12 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距0.95 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽480 kHz
最小电压增益1000
宽带NO
宽度1.6 mm
Base Number Matches1

TLV2721IDBVTG4相似产品对比

TLV2721IDBVTG4 TLV2721
描述 Operational Amplifiers - Op Amps Single LinCMOS R-To-R Very Lo-Power TLV2721 Single LinCMOS™ Rail-To-Rail Very Low-Power Operational Amplifier

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