Operational Amplifiers - Op Amps Dual Rail-To-Rail Lo-Vltg Lo-Power
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP8,.3 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.001 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.00006 µA |
| 标称共模抑制比 | 75 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电压 | 1750 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 长度 | 9.59 mm |
| 低-偏置 | YES |
| 低-失调 | NO |
| 微功率 | YES |
| 功能数量 | 2 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-1.35/+-4/2.7/8 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最小摆率 | 0.05 V/us |
| 标称压摆率 | 0.1 V/us |
| 最大压摆率 | 0.15 mA |
| 供电电压上限 | 16 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 187 kHz |
| 最小电压增益 | 10000 |
| 宽度 | 7.62 mm |
| TLV2252IPE4 | TLV2254INE4 | TLV2254AINE4 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Operational Amplifiers - Op Amps Dual Rail-To-Rail Lo-Vltg Lo-Power | Operational Amplifiers - Op Amps Quad Rail-To-Rail Lo-Vltg Lo-Power | Operational Amplifiers - Op Amps Quad Low-Voltage Rail-to-Rail |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | DIP | DIP | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP8,.3 | DIP, DIP14,.3 | DIP, DIP14,.3 |
| 针数 | 8 | 14 | 14 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.001 µA | 0.001 µA | 0.001 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.00006 µA | 0.00006 µA | 0.00006 µA |
| 标称共模抑制比 | 75 dB | 75 dB | 77 dB |
| 频率补偿 | YES | YES | YES |
| 最大输入失调电压 | 1750 µV | 1750 µV | 1000 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 | R-PDIP-T14 | R-PDIP-T14 |
| JESD-609代码 | e4 | e4 | e4 |
| 长度 | 9.59 mm | 19.305 mm | 19.305 mm |
| 低-偏置 | YES | YES | YES |
| 低-失调 | NO | NO | NO |
| 微功率 | YES | YES | YES |
| 功能数量 | 2 | 4 | 4 |
| 端子数量 | 8 | 14 | 14 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 | DIP14,.3 | DIP14,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-1.35/+-4/2.7/8 V | +-1.35/+-4/2.7/8 V | +-1.35/+-4/2.7/8 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 5.08 mm | 5.08 mm |
| 最小摆率 | 0.05 V/us | 0.05 V/us | 0.05 V/us |
| 标称压摆率 | 0.1 V/us | 0.1 V/us | 0.1 V/us |
| 最大压摆率 | 0.15 mA | 0.3 mA | 0.3 mA |
| 供电电压上限 | 16 V | 16 V | 16 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V | 3 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE | AUTOMOTIVE | AUTOMOTIVE |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 187 kHz | 187 kHz | 187 kHz |
| 最小电压增益 | 10000 | 10000 | 10000 |
| 宽度 | 7.62 mm | 7.62 mm | 7.62 mm |
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