100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
100 mA, 50 V, PNP, 硅, 小信号晶体管
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | ROHM(罗姆半导体) |
包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7 |
最大集电极电流 (IC) | 0.07 A |
集电极-发射极最大电压 | 50 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
最小直流电流增益 (hFE) | 68 |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码 | e1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 0.3 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN SILVER COPPER |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 250 MHz |
VCEsat-Max | 0.3 V |
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