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TN2219A

产品描述power transistors
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小431KB,共7页
制造商Central Semiconductor
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TN2219A概述

power transistors

TN2219A规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
零件包装代码TO-237AA
包装说明TO-237, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.8 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JEDEC-95代码TO-237AA
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)300 MHz

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TN2219A
TN2219A
(TN2222A)
C
TO-226
B
E
NPN General Purpose Amplifier
This device is for use as a medium power amplifier and switch requiring
collector currents up to 500 mA. Sourced from Process 19. See
PN2222A for characteristics.
Absolute Maximum Ratings*
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
stg
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
TA = 25°C unless otherwise noted
Parameter
Value
40
75
6.0
1.0
-55 to +150
Units
V
V
V
A
°C
Operating and Storage Junction Temperature Range
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
Symbol
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25°C unless otherwise noted
Characteristic
Total Device Dissipation
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Max
TN2219A
1.0
8.0
125
50
Units
W
W/°C
°C/W
°C/W
1997 Fairchild Semiconductor Corporation

TN2219A相似产品对比

TN2219A
描述 power transistors
是否无铅 含铅
是否Rohs认证 不符合
厂商名称 Central Semiconductor
零件包装代码 TO-237AA
包装说明 TO-237, 3 PIN
针数 3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.8 A
集电极-发射极最大电压 40 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 100
JEDEC-95代码 TO-237AA
JESD-30 代码 O-PBCY-T3
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND
封装形式 CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN
最大功率耗散 (Abs) 2 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 300 MHz

 
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