TN5325N8: 产品描述N-channel enhancement-mode vertical dmos fets; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小443KB，共2页; 制造商Supertex

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TN5325N8概述

N-channel enhancement-mode vertical dmos fets

TN5325N8规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	SOT-89
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数	4
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	250 V
最大漏极电流 (ID)	0.316 A
最大漏源导通电阻	7 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-243AA
JESD-30 代码	R-PSSO-F3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	1.6 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	1.5 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	FLAT
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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TN5325

Low Threshold

N-Channel Enhancement-Mode

Vertical DMOS FETs

Ordering Information

DSS

DGS

250V

DS(ON)

(max)

7.0Ω

GS(th)

(max)

2.0V

D(on)

(min)

1.2A

Order Number / Package

TO-236AB*

TN5325K1

TO-92

TN5325N3

TO-243AA**

TN5325N8

Product marking for SOT-23:

N3C❋

where

❋

= 2-week alpha date code

* Same as SOT-23. All units shipped on 3,000 piece carrier tape reels.

** Shipped on 2,000 piece carrier tape and reels.

Product marking for TO-243AA

Features

❏

Low threshold – 2.0V max.

❏

Free from secondary breakdown

❏

Low power drive requirement

❏

Low C

ISS

and fast switching speeds

❏

Excellent thermal stability

❏

High input impedance and high gain

❏

Complementary N- and P-channel devices

TN3C❋

Where

❋

= 2-week alpha date code

Advanced DMOS Technology

These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a

vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate

manufacturing process. This combination produces devices with

the power handling capabilities of bipolar transistors and with the

high input impedance and positive temperature coefficient inher-

ent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, these

devices are free from thermal runaway and thermally-induced

secondary breakdown.

Supertex’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range

of switching and amplifying applications where high breakdown

voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast

switching speeds are desired.

Applications

❏

Logic level interfaces – ideal for TTL and CMOS

❏

Solid state relays

❏

Battery operated systems

❏

Photo voltaic drives

❏

Analog switches

❏

General purpose line drivers

❏

Telecom switches

Package Options

Absolute Maximum Ratings

Drain-to-Source Voltage

Drain-to-Gate Voltage

Gate-to-Source Voltage

Operating and Storage Temperature

Soldering Temperature*

Distance of 1.6 mm from case for 10 seconds.

11/12/01

Supertex Inc. does not recommend the use of its products in life support applications and will not knowingly sell its products for use in such applications unless it receives an adequate "products liability

indemnification insurance agreement." Supertex does not assume responsibility for use of devices described and limits its liability to the replacement of devices determined to be defective due to

workmanship. No responsibility is assumed for possible omissions or inaccuracies. Circuitry and specifications are subject to change without notice. For the latest product specifications, refer to the

Supertex website: http://www.supertex.com. For complete liability information on all Supertex products, refer to the most current databook or to the Legal/Disclaimer page on the Supertex website.

DSS

DGS

20V

-55°C to +150°C

300°C

S G D

TO-92

TO-243AA

(SOT-89)

TO-236AB

(SOT-23)

Note: See Package Outline section for dimensions.

TN5325N8相似产品对比

	TN5325N8	TN5325	TN5325N3	TN5325K1
描述	N-channel enhancement-mode vertical dmos fets	N-channel enhancement-mode vertical dmos fets	N-channel enhancement-mode vertical dmos fets	N-channel enhancement-mode vertical dmos fets
是否Rohs认证	不符合	-	不符合	不符合
零件包装代码	SOT-89	-	TO-92	SOT-23
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	-	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	4	-	3	3
Reach Compliance Code	compliant	-	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	EAR99
其他特性	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	-	HIGH INPUT IMPEDANCE	HIGH INPUT IMPEDANCE
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	250 V	-	250 V	250 V
最大漏极电流 (ID)	0.316 A	-	0.215 A	0.15 A
最大漏源导通电阻	7 Ω	-	7 Ω	7 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-243AA	-	TO-92	TO-236AB
JESD-30 代码	R-PSSO-F3	-	O-PBCY-W3	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e0	-	e0	e0
元件数量	1	-	1	1
端子数量	3	-	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	-	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	-	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	-	ROUND	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	-	CYLINDRICAL	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	-	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	1.6 W	-	0.74 W	0.36 W
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	-	NO	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	FLAT	-	WIRE	GULL WING
端子位置	SINGLE	-	BOTTOM	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	-	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	-	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	-	1	1

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