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RD07MUS2B

产品描述RF power mos fet silicon mosfet power transistor,175mhz,527mhz,7W
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小558KB,共14页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
标准
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RD07MUS2B概述

RF power mos fet silicon mosfet power transistor,175mhz,527mhz,7W

RD07MUS2B规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Mitsubishi(日本三菱)
包装说明CHIP CARRIER, R-XQCC-N3
针数10
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接SOURCE
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3 A
最大漏极电流 (ID)3 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-XQCC-N3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)50 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式NO LEAD
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
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