bridge rectifiers, controlled avalanche
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Central Semiconductor |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最小击穿电压 | 850 V |
| 配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 1.1 V |
| JESD-30 代码 | S-PUFM-W4 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 50 A |
| 元件数量 | 4 |
| 相数 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 最大输出电流 | 3 A |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 800 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | AVALANCHE |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |

| CBR3A-P080 | CBR3A-P020 | |
|---|---|---|
| 描述 | bridge rectifiers, controlled avalanche | bridge rectifiers, controlled avalanche |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Central Semiconductor | Central Semiconductor |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 最小击穿电压 | 850 V | 250 V |
| 配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
| 二极管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 二极管类型 | BRIDGE RECTIFIER DIODE | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 1.1 V | 1.1 V |
| JESD-30 代码 | S-PUFM-W4 | S-PUFM-W4 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 50 A | 50 A |
| 元件数量 | 4 | 4 |
| 相数 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 4 | 4 |
| 最大输出电流 | 3 A | 3 A |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | SQUARE | SQUARE |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 800 V | 200 V |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 技术 | AVALANCHE | AVALANCHE |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE | WIRE |
| 端子位置 | UPPER | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
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