电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

FM0540-M

产品描述chip schottky barrier diodes - chip schottky barrier diodes
文件大小79KB,共2页
制造商Formosa MS
官网地址http://www.formosams.com/
下载文档 选型对比 全文预览

FM0540-M概述

chip schottky barrier diodes - chip schottky barrier diodes

文档预览

下载PDF文档
Chip Schottky Barrier Diodes
FM0520-M THRU FM05100-M
Silicon epitaxial planer type
Formosa MS
SOD-123
0.161(4.1)
0.146(3.7)
0.012(0.3) Typ.
Features
Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O Utilizing Flame
Retardant Epoxy Molding Compound.
For surface mounted applications.
Exceeds environmental standards of MIL-S-19500 /
228
Low leakage current.
0.063(1.6)
0.055(1.4)
0.071(1.8)
0.055(1.4)
0.126(3.2)
0.110(2.8)
0.035(0.9) Typ.
0.035(0.9) Typ.
Mechanical data
Case : Molded plastic, JEDEC SOD-123 / MINI SMA
Terminals : Solder plated, solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity : Indicated by c athode band
Mounting P
osition : Any
Weight : 0.04 gram
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS
(AT T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
Forward rectified current
Forward surge current
See Fig.1
8.3ms single half sine-wave superimposed on
rate load (JEDEC methode)
V
R
= V
RRM
T
A
=
25
o
C
o
CONDITIONS
Symbol
I
O
I
FSM
MIN.
TYP.
MAX.
0.5
15
0.5
10
UNIT
A
A
mA
mA
o
Reverse current
Thermal resistance
Diode junction capacitance
Storage temperature
I
R
Rq
JC
C
J
T
STG
-55
98
120
V
R
= V
RRM
T
A
= 125 C
Junction to ambient
f=1MHz and applied 4vDC reverse voltage
C / w
pF
+150
o
C
SYMBOLS
MARKING
CODE
02
03
04
05
06
08
01
V
RRM
*1
V
RMS
*2
V
R
*3
V
F
*4
Operating
temperature
(
o
C)
(V)
FM0520-M
FM0530-M
FM0540-M
FM0550-M
FM0560-M
FM0580-M
FM05100-M
20
30
40
50
60
80
100
(V)
14
21
28
35
42
56
70
(V)
20
30
40
50
60
80
100
(V)
0.45
-55 to +125
*1 Repetitive peak reverse voltage
0.65
-55 to +150
0.80
*2 RMS voltage
*3 Continuous reverse voltage
*4 Maximum forward voltage

FM0540-M相似产品对比

FM0540-M FM05100-M
描述 chip schottky barrier diodes - chip schottky barrier diodes chip schottky barrier diodes - chip schottky barrier diodes
NBA垃圾话大王经典语录
一,“大鸟”拉里·伯德:   1,伯德曾三次获得过三分大赛的冠军,每次当他走进更衣室看到自己的对手后便会不屑地问道:“怎么样,你们商量好了吗,你们谁来争第二?”还真就没人敢反对他 ......
heningbo 聊聊、笑笑、闹闹
短路负载检测电路怎么工作的?
446587这个电路是TI的参考设计里面的负载移除检测电路,当电池PACK正负极短路后,PACK的放电MOS会关断,该电路用于检测短路是否移除……参考设计里PACK+电压80V,VCC_B大约3.6V,LO ......
飞鸿浩劫 模拟电子
有偿求助
毕设仿真,毕设课题,基于tdc芯片的激光测距系统设计, 现求仿真,只需要仿真其中的APD前置放大和主放大,有偿求助,大神加q 707143668 ...
bai666 模拟电子
【问TI】是否重视中国市场各芯片的中文手册
经常在设计时看到的英文手册很是头大,得找谷歌来翻译又翻译的乱七八糟,所以让我们这些没学好英文的人走了不少弯路。希望TI能重视中国市场各芯片的中文资料,我相信有了这些中文资料大家能更快 ......
机动哥 TI技术论坛
基于nRF2401的无线传输系统的设计
应用nrf2401芯片和51系列单片机设计一套无线数据传输系统,请教高手 要电路图 急 急 急!!!...
ning1020 单片机
走进苹果A7芯片深处:探究晶体管
本帖最后由 jameswangsynnex 于 2015-3-3 19:59 编辑 苹果的A7处理器不仅在技术上非常先进,同时也是优秀的工程代表。它采用三星28nm低功耗(LP)、前栅极(Gate First)、高K金属栅极(HKMG)工艺制 ......
wstt 消费电子

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 261  2313  755  2550  2033  49  50  2  25  11 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved