BC 337 / BC 338
NPN
Si-Epitaxial PlanarTransistors
General Purpose Transistors
NPN
625 mW
TO-92
(10D3)
0.18 g
Power dissipation – Verlustleistung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard Pinning
1=C 2=B 3=E
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings (T
A
= 25
/
C)
Collector-Emitter-voltage
Collector-Base-voltage
Emitter-Base-voltage
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (DC)
Junction temp. – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
B open
E open
C open
V
CE0
V
CB0
V
EB0
P
tot
I
C
T
j
T
S
Grenzwerte (T
A
= 25
/
C)
BC 337
45 V
50 V
5V
625 mW
1
)
800 mA
150
/
C
- 55…+ 150
/
C
Kennwerte (T
j
= 25
/
C)
Min.
Typ.
160
250
400
–
–
–
–
Max.
250
400
630
200 nA
200 nA
10
:
A
10
:
A
BC 338
25 V
30 V
Characteristics (T
j
= 25
/
C)
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
Group -16
V
CE
= 1 V, I
C
= 100 mA
Group -25
Group -40
V
CE
= 40 V
V
CE
= 20 V
V
CE
= 40 V, T
j
= 125
/
C
V
CE
= 20 V, T
j
= 125
/
C
BC 337
BC 338
BC 337
BC 338
h
FE
h
FE
h
FE
I
CES
I
CES
I
CES
I
CES
100
160
250
–
–
–
–
Collector-Emitter cutoff current – Kollektorreststrom
1
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
4
01.11.2003
General Purpose Transistors
Characteristics (T
j
= 25
/
C)
Min.
Collector-Emitter breakdown voltage
Collector-Emitter Durchbruchspannung
I
C
= 10 mA
I
C
= 0.1 mA
Emitter-Base breakdown voltage
Emitter-Basis-Durchbruchspannung
I
E
= 10
:
A
I
C
= 500 mA, I
B
= 50 mA
Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung
V
CE
= 1 V, I
C
= 300 mA
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
V
CE
= 5 V, I
C
= 10 mA, f = 50 MHz
Collector-Base Cap. – Kollektor-Basis-Kap.
V
CB
= 10 V, f = 1 MHz
C
CB0
–
R
thA
f
T
–
V
BE
–
V
(BR)EB0
V
CEsat
5V
–
BC 337
BC 338
BC 337
BC 338
V
(BR)CES
V
(BR)CES
V
(BR)CES
V
(BR)CES
40 V
20 V
50 V
30 V
BC 337 / BC 338
Kennwerte (T
j
= 25
/
C)
Typ.
Max.
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
100 MHz
12 pF
–
0.7 V
1.2 V
–
–
200 K/W
1
)
Collector saturation volt. – Kollektor-Sättigungsspannung
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Recommended complementary PNP transistors
Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren
BC 327 / BC 328
Available current gain groups per type
Lieferbare Stromverstärkungsgruppen pro Typ
BC 337-16
BC 338-16
BC 337-25
BC 338-25
BC337-40
BC338-40
1
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
01.11.2003
5
单片机
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