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SA702

产品描述silicon gate enhancement mode RF power vdmos transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小36KB,共2页
制造商Polyfet RF Devices
官网地址http://www.polyfet.com/
标准
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SA702概述

silicon gate enhancement mode RF power vdmos transistor

SA702规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Polyfet RF Devices
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)6.5 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度200 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)110 W

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polyfet rf devices
SA702
General Description
Silicon VDMOS and LDMOS
transistors designed specifically
for broadband RF applications.
Suitable for Militry Radios,
Cellular and Paging Amplifier Base
Stations, Broadcast FM/AM, MRI,
Laser Driver and others.
"Polyfet" process features
low feedback and output capacitances
resulting in high F
t
transistors with high
input impedance and high efficiency.
TM
SILICON GATE ENHANCEMENT MODE
RF POWER VDMOS TRANSISTOR
50.0 Watts Single Ended
Package Style AA
HIGH EFFICIENCY, LINEAR
HIGH GAIN, LOW NOISE
o
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( T = 25 C )
Total
Device
Dissipation
110 Watts
Junction to
Case Thermal
Resistance
o
1.40 C/W
Maximum
Junction
Temperature
o
200 C
Storage
Temperature
o
o
-65 C to 150 C
DC Drain
Current
Drain to
Gate
Voltage
70 V
Drain to
Source
Voltage
70 V
Gate to
Source
Voltage
20 V
6.5 A
RF CHARACTERISTICS (
SYMBOL
Gps
PARAMETER
Common Source Power Gain
Drain Efficiency
Load Mismatch Tolerance
MIN
13
85
TYP
50.0 WATTS OUTPUT )
MAX
UNITS
dB
%
20:1
TEST CONDITIONS
Idq = 0.40 A, Vds =
28.0
V, F =
Idq = 0.40 A, Vds =
28.0
V, F =
175
MHz
175
MHz
η
VSWR
Relative Idq = 0.40 A, Vds =
28.0
V, F =
175
MHz
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( EACH SIDE )
SYMBOL
Bvdss
Idss
Igss
Vgs
gM
Rdson
Idsat
Ciss
Crss
Coss
PARAMETER
Drain Breakdown Voltage
Zero Bias Drain Current
Gate Leakage Current
Gate Bias for Drain Current
Forward Transconductance
Saturation Resistance
Saturation Current
Common Source Input Capacitance
Common Source Feedback Capacitance
Common Source Output Capacitance
1
2.4
0.50
14.00
100.0
6.0
64.0
MIN
65
2.0
1
7
TYP
MAX
UNITS
V
mA
uA
V
Mho
Ohm
Amp
pF
pF
pF
TEST CONDITIONS
Ids = 40.00 mA, Vgs = 0V
Vds = 28.0 V, Vgs = 0V
Vds = 0V Vgs = 30V
Ids = 0.20 A, Vgs = Vds
Vds = 10V, Vgs = 5V
Vgs = 20V, Ids = 5.00 A
Vgs = 20V, Vds = 10V
Vds = 28.0 Vgs = 0V, F = 1 MHz
Vds = 28.0 Vgs = 0V, F = 1 MHz
Vds = 28.0 Vgs = 0V, F = 1 MHz
POLYFET RF DEVICES
REVISION 04/10/2001
1110 Avenida Acaso, Camarillo, Ca 93012 Tel:(805) 484-4210 FAX: (805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
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