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LK701

产品描述silicon gate enhancement mode RF power ldmos transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小34KB,共2页
制造商Polyfet RF Devices
官网地址http://www.polyfet.com/
标准
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LK701概述

silicon gate enhancement mode RF power ldmos transistor

LK701规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Polyfet RF Devices
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大漏极电流 (Abs) (ID)9 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度200 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)150 W

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