silicon gate enhancement mode RF power ldmos transistor
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Polyfet RF Devices |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | unknown |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 9 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 200 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 150 W |
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