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FM160-M

产品描述silicon epitaxial planer type
文件大小69KB,共2页
制造商Formosa MS
官网地址http://www.formosams.com/
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FM160-M概述

silicon epitaxial planer type

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Chip Schottky Barrier Diodes
FM120-M THRU FM1100-M
Silicon epitaxial planer type
Formosa MS
SOD-123
0.161(4.1)
0.146(3.7)
0.012(0.3) Typ.
Features
Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O Utilizing Flame
Retardant Epoxy Molding Compound.
For surface mounted applications.
Exceeds environmental standards of MIL-S-19500 /
228
Low leakage current.
0.063(1.6)
0.055(1.4)
0.071(1.8)
0.055(1.4)
0.110(2.8)
0.094(2.4)
0.035(0.9) Typ.
0.035(0.9) Typ.
Dimensions in inches and (millimeters)
Mechanical data
Case : Molded plastic, JEDE SOD-123 / MI I SMA
C
N
Terminals : Solder plated, s olderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity : Indicated by cathode band
Mounting P
osition : Any
Weight : 0.04 gram
MAXIMUM RATINGS
(AT T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
Forward rectified current
Forward surge current
See Fig.1
8.3ms single half sine-wave superimposed on
rate load (JEDEC methode)
V
R
= V
RRM
T
A
=
25
o
C
o
CONDITIONS
Symbol
I
O
I
FSM
MIN.
TYP.
MAX.
1.0
30
0.5
10
UNIT
A
A
mA
mA
o
Reverse current
Thermal resistance
Diode junction capacitance
Storage temperature
I
R
Rq
JA
C
J
T
STG
-55
98
120
V
R
= V
RRM
T
A
= 125 C
Junction to ambient
f=1MHz and applied 4vDC reverse voltage
C / w
pF
+150
o
C
SYMBOLS
MARKING
CODE
12
13
14
15
16
18
10
V
RRM
(V)
*1
V
RMS
(V)
14
21
28
35
42
56
70
*2
V
R
*3
V
F
*4
Operating
temperature
(
o
C)
(V)
20
30
40
50
60
80
100
(V)
FM120-M
FM130-M
FM140-M
FM150-M
FM160-M
FM180-M
FM1100-M
20
30
40
50
60
80
100
0.50
-55 to +125
*1 Repetitive peak reverse voltage
0.70
-55 to +150
0.85
*2 RMS voltage
*3 Continuous reverse voltage
*4 Maximum forward voltage

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FM160-M FM180-M FM120-M FM130-M
描述 silicon epitaxial planer type silicon epitaxial planer type silicon epitaxial planer type silicon epitaxial planer type

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