128k x 16 cmos static ram
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) |
| 零件包装代码 | TSOP2 |
| 包装说明 | PLASTIC, TSOP2-44 |
| 针数 | 44 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | 120 ns |
| 其他特性 | BYTE READ/WRITE |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G44 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 18.41 mm |
| 内存密度 | 2097152 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 16 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 44 |
| 字数 | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 128KX16 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSOP2 |
| 封装等效代码 | TSOP44,.46,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 最大待机电流 | 0.000015 A |
| 最小待机电流 | 1 V |
| 最大压摆率 | 0.02 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 10.16 mm |
| IS62LV12816L-120T | IS62LV12816L-100B | IS62LV12816L-70TI | IS62LV12816L-120B | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | 128k x 16 cmos static ram | 128k x 16 cmos static ram | 128k x 16 cmos static ram | 128k x 16 cmos static ram |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | - |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | - |
| 厂商名称 | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) | - |
| 零件包装代码 | TSOP2 | BGA | TSOP2 | - |
| 包装说明 | PLASTIC, TSOP2-44 | MINI, BGA-48 | TSOP2-44 | - |
| 针数 | 44 | 48 | 44 | - |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | - |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | - |
| 最长访问时间 | 120 ns | 100 ns | 70 ns | - |
| 其他特性 | BYTE READ/WRITE | CONFIGURABLE AS 128K X 16 | CONFIGURABLE AS 128K X 16 | - |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | - |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G44 | R-PBGA-B48 | R-PDSO-G44 | - |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | - |
| 内存密度 | 2097152 bit | 2097152 bit | 2097152 bit | - |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | - |
| 内存宽度 | 16 | 8 | 16 | - |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | - |
| 端子数量 | 44 | 48 | 44 | - |
| 字数 | 131072 words | 262144 words | 131072 words | - |
| 字数代码 | 128000 | 256000 | 128000 | - |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | - |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 85 °C | - |
| 组织 | 128KX16 | 256KX8 | 128KX16 | - |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | - |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
| 封装代码 | TSOP2 | BGA | TSOP2 | - |
| 封装等效代码 | TSOP44,.46,32 | BGA48,6X8,30 | TSOP44,.46,32 | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | GRID ARRAY | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | - |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | 240 | 240 | - |
| 电源 | 3 V | 3 V | 3 V | - |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | - |
| 最大待机电流 | 0.000015 A | 0.000015 A | 0.000025 A | - |
| 最小待机电流 | 1 V | 1.5 V | 1.5 V | - |
| 最大压摆率 | 0.02 mA | 0.02 mA | 0.05 mA | - |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3 V | - |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V | 2.5 V | - |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V | 3 V | - |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | - |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | - |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | INDUSTRIAL | - |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - |
| 端子形式 | GULL WING | BALL | GULL WING | - |
| 端子节距 | 0.8 mm | 0.75 mm | 0.8 mm | - |
| 端子位置 | DUAL | BOTTOM | DUAL | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | 30 | 30 | - |
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