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BS62LV1603ECG70

产品描述very low power/voltage cmos sram 2M X 8 bit
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文件大小261KB,共9页
制造商Brilliance
标准
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BS62LV1603ECG70概述

very low power/voltage cmos sram 2M X 8 bit

BS62LV1603ECG70规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Brilliance
包装说明TSOP2, TSOP44,.46,32
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间70 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G44
JESD-609代码e1
长度18.41 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量44
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP44,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
电源3/3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最小待机电流1.5 V
最大压摆率0.036 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag3.8Cu0.7)
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm

BS62LV1603ECG70相似产品对比

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描述 very low power/voltage cmos sram 2M X 8 bit very low power/voltage cmos sram 2M X 8 bit very low power/voltage cmos sram 2M X 8 bit very low power/voltage cmos sram 2M X 8 bit very low power/voltage cmos sram 2M X 8 bit very low power/voltage cmos sram 2M X 8 bit very low power/voltage cmos sram 2M X 8 bit very low power/voltage cmos sram 2M X 8 bit

 
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