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1N966C

产品描述0.5W silicon zener diodes
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小26KB,共3页
制造商JGD(Jinan Gude Electronic Device)
官网地址http://www.jgd.com.cn/
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1N966C概述

0.5W silicon zener diodes

1N966C规格参数

参数名称属性值
厂商名称JGD(Jinan Gude Electronic Device)
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗17 Ω
元件数量1
最高工作温度175 °C
最大功率耗散0.5 W
标称参考电压16 V
表面贴装NO
最大电压容差2%
工作测试电流7.8 mA

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1N957B...1N963B
Vishay Telefunken
Silicon Z–Diodes
Features
D
D
D
D
Very sharp reverse characteristic
Very high stability
Low reverse current level
V
Z
–tolerance
±
5%
Applications
94 9367
Voltage stabilization
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25
_
C
Parameter
Power dissipation
Z–current
Junction temperature
Storage temperature range
T
L
x
Test Conditions
75
°
C
Type
Symbol
P
V
I
Z
T
j
T
stg
Value
500
P
V
/V
Z
200
–65...+200
Unit
mW
mA
°
C
°
C
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25
_
C
Parameter
Junction ambient
Test Conditions
l=9.5mm (3/8”), T
L
=constant
Symbol
R
thJA
Value
300
Unit
K/W
Electrical Characteristics
T
j
= 25
_
C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
I
F
=200mA
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1.1
Unit
V
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