EDI2GG464128V11D,EDI2GG464128V11D pdf中文资料,EDI2GG464128V11D引脚图,EDI2GG464128V11D电路-Datasheet-电子工程世界

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EDI2GG464128V11D: 产品描述4x128kx64 synchronous Sram card module(4x128kx64, 3.3V，11ns,同步静态ram卡模块(流通结构）); 产品类别存储存储; 文件大小247KB，共8页; 制造商White Electronic Designs Corporation; 官网地址http://www.wedc.com/

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EDI2GG464128V11D概述

4x128kx64 synchronous Sram card module(4x128kx64, 3.3V，11ns,同步静态ram卡模块(流通结构）)

EDI2GG464128V11D规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	White Electronic Designs Corporation
包装说明	CARD EDGE, DIMM-120
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	11 ns
其他特性	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
JESD-30 代码	R-XDMA-N120
JESD-609代码	e4
内存密度	33554432 bit
内存集成电路类型	SRAM CARD
内存宽度	64
功能数量	1
端子数量	120
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	512KX64
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3.14 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	GOLD
端子形式	NO LEAD
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

EDI2GG464128V11D相似产品对比

	EDI2GG464128V11D	EDI2GG464128V95D	EDI2GG464128V12D	EDI2GG464128V15D
描述	4x128kx64 synchronous Sram card module(4x128kx64, 3.3V，11ns,同步静态ram卡模块(流通结构）)	4x128kx64 synchronous Sram card module(4x128kx64, 3.3V，9.5ns,同步静态ram卡模块(流通结构）)	4x128kx64 synchronous Sram card module(4x128kx64, 3.3V，12ns,同步静态ram卡模块(流通结构）)	4x128kx64 synchronous Sram card module(4x128kx64, 3.3V，15ns,同步静态ram卡模块(流通结构）)
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	White Electronic Designs Corporation	White Electronic Designs Corporation	White Electronic Designs Corporation	White Electronic Designs Corporation
包装说明	CARD EDGE, DIMM-120	CARD EDGE, DIMM-120	CARD EDGE, DIMM-120	CARD EDGE, DIMM-120
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	11 ns	9.5 ns	12 ns	15 ns
其他特性	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
JESD-30 代码	R-XDMA-N120	R-XDMA-N120	R-XDMA-N120	R-XDMA-N120
JESD-609代码	e4	e4	e4	e4
内存密度	33554432 bit	33554432 bit	33554432 bit	33554432 bit
内存集成电路类型	SRAM CARD	SRAM CARD	SRAM CARD	SRAM CARD
内存宽度	64	64	64	64
功能数量	1	1	1	1
端子数量	120	120	120	120
字数	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	512000	512000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	512KX64	512KX64	512KX64	512KX64
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	GOLD	GOLD	GOLD	GOLD
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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