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W3EG64128S263D3: 产品描述1gb - 2x64mx64 ddr sdram unbuffered; 产品类别存储存储; 文件大小231KB，共12页; 制造商White Electronic Designs Corporation; 官网地址http://www.wedc.com/

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W3EG64128S263D3概述

1gb - 2x64mx64 ddr sdram unbuffered

W3EG64128S263D3规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	White Electronic Designs Corporation
包装说明	DIMM, DIMM184
Reach Compliance Code	unknown
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.75 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N184
内存密度	8589934592 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	184
字数	134217728 words
字数代码	128000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	128MX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM184
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
自我刷新	YES
最大待机电流	0.08 A
最大压摆率	4 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL

W3EG64128S263D3相似产品对比

	W3EG64128S263D3	W3EG64128S202D3	W3EG64128S263JD3	W3EG64128S-JD3	W3EG64128S265D3	W3EG64128S403JD3
描述	1gb - 2x64mx64 ddr sdram unbuffered	1gb - 2x64mx64 ddr sdram unbuffered	1gb - 2x64mx64 ddr sdram unbuffered	1gb - 2x64mx64 ddr sdram unbuffered	1gb - 2x64mx64 ddr sdram unbuffered	1gb - 2x64mx64 ddr sdram unbuffered
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	-	不符合	不符合
厂商名称	White Electronic Designs Corporation	White Electronic Designs Corporation	White Electronic Designs Corporation	-	White Electronic Designs Corporation	White Electronic Designs Corporation
包装说明	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	-	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	-	unknown	unknown
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	-	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.75 ns	0.75 ns	0.75 ns	-	0.75 ns	0.7 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	-	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz	133 MHz	133 MHz	-	133 MHz	200 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	-	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	-	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184
内存密度	8589934592 bit	8589934592 bit	8589934592 bit	-	8589934592 bit	8589934592 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	-	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64	64	64	-	64	64
功能数量	1	1	1	-	1	1
端口数量	1	1	1	-	1	1
端子数量	184	184	184	-	184	184
字数	134217728 words	134217728 words	134217728 words	-	134217728 words	134217728 words
字数代码	128000000	128000000	128000000	-	128000000	128000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	-	70 °C	70 °C
组织	128MX64	128MX64	128MX64	-	128MX64	128MX64
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	-	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	-	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM184	DIMM184	DIMM184	-	DIMM184	DIMM184
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	-	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	2.5 V	2.5 V	2.5 V	-	2.5 V	2.6 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	-	8192	8192
自我刷新	YES	YES	YES	-	YES	YES
最大待机电流	0.08 A	0.08 A	0.08 A	-	0.08 A	0.08 A
最大压摆率	4 mA	4 mA	4 mA	-	4 mA	4.8 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	-	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	2.3 V	-	2.3 V	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	-	2.5 V	2.6 V
表面贴装	NO	NO	NO	-	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	-	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	-	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	-	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	-	DUAL	DUAL

W3EG64128S263D3

W3EG64128S263D3概述

W3EG64128S263D3规格参数

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