igbt module
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | SEMIKRON |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-P7 |
针数 | 7 |
制造商包装代码 | CASE T32 |
Reach Compliance Code | compliant |
Is Samacsys | N |
其他特性 | UL RECOGNIZED |
外壳连接 | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 45 A |
集电极-发射极最大电压 | 600 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
JESD-30 代码 | R-XUFM-P7 |
JESD-609代码 | e2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 7 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
参考标准 | IEC-60747-1 |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Silver (Sn/Ag) |
端子形式 | PIN/PEG |
端子位置 | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 295 ns |
标称接通时间 (ton) | 67 ns |
Base Number Matches | 1 |
SK30GAR067 | SK30GAL067 | |
---|---|---|
描述 | igbt module | igbt module |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | SEMIKRON | SEMIKRON |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-P7 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-P7 |
针数 | 7 | 7 |
制造商包装代码 | CASE T32 | CASE T32 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
Is Samacsys | N | N |
其他特性 | UL RECOGNIZED | UL RECOGNIZED |
外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 45 A | 45 A |
集电极-发射极最大电压 | 600 V | 600 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
JESD-30 代码 | R-XUFM-P7 | R-XUFM-P7 |
JESD-609代码 | e2 | e2 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 7 | 7 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
参考标准 | IEC-60747-1 | IEC-60747-1 |
表面贴装 | NO | NO |
端子面层 | Tin/Silver (Sn/Ag) | Tin/Silver (Sn/Ag) |
端子形式 | PIN/PEG | PIN/PEG |
端子位置 | UPPER | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | POWER CONTROL | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 295 ns | 295 ns |
标称接通时间 (ton) | 67 ns | 67 ns |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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