trench igbt modules
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X18 |
| 针数 | 18 |
| 制造商包装代码 | CASE SEMIX 3S |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC) | 480 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 1200 V |
| 配置 | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR |
| 门极-发射极最大电压 | 20 V |
| JESD-30 代码 | R-XUFM-X18 |
| JESD-609代码 | e3/e4 |
| 元件数量 | 2 |
| 端子数量 | 18 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | TIN/SILVER |
| 端子形式 | UNSPECIFIED |
| 端子位置 | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称断开时间 (toff) | 750 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 330 ns |
| VCEsat-Max | 2.1 V |
| Base Number Matches | 1 |
| SEMIX503GB126HDS | SEMIX503GB126HDS_09 | |
|---|---|---|
| 描述 | trench igbt modules | trench igbt modules |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
