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5082-2301

产品描述Mixer Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, Silicon, DO-15, GLASS PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小12KB,共1页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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5082-2301概述

Mixer Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, Silicon, DO-15, GLASS PACKAGE-2

5082-2301规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
零件包装代码DO-15
包装说明O-LALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
最大二极管电容1 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
最大正向电压 (VF)0.4 V
频带VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY
JEDEC-95代码DO-15
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.25 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向恢复时间0.0001 µs
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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5082-2301
SCHOTTKY BARRIER DIODE
PACKAGE STYLE DO-15
DESCRIPTION:
The
ASI 5082-2301
is a Silicon Small
Signal Schottky Diode for General
Purpose UHF/VHF Detection and Pulse
Applications. Color Band Indicates
Cathode.
MAXIMUM RATINGS
I
F
V
R
P
DISS
T
J
T
STG
θ
JC
35 mA
30 V
250 mW @ T
A
= 25 °C
-60 °C to +200 °C
-60 °C to +200 °C
700 °C/W
NONE
CHARACTERISTICS
SYMBOL
V
BR
I
R
V
F
C
T
τ
I
R
= 10
µA
V
R
= 15 V
I
F
= 1.0 mA
I
F
= 50 mA
V
R
= 0 V
I
F
= 20 mA
T
C
= 25 °C
TEST CONDITIONS
MINIMUM
30
TYPICAL
MAXIMUM
300
0.4
1.0
UNITS
V
nA
V
pF
pS
f = 1.0 MHz
1.0
100
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1202
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
REV. B
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