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MRF329

产品描述npn silicon RF power transistor
文件大小9KB,共1页
制造商ASI [ASI Semiconductor, Inc]
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MRF329概述

npn silicon RF power transistor

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MRF329
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The
ASI MRF329
is Designed for
Wide Band Large-Signal Output and
Driver Amplifier Stages in the
100-500 MHz Frequency Range.
PACKAGE STYLE .400X.425" 6L FLG.
FEATURES INCLUDE:
Gold Metalization
3:1 VSWR
I/O
Network Matching
MAXIMUM RATINGS
I
C
V
CB
P
DISS
T
J
T
STG
θ
JC
O
O
9.0 A
(CONT)
12.0 A
(PEAK)
60 V
270 W @ T
C
= 25 C
-65 C to +150 C
-65 C to +150 C
0.65 C/W
O
O
O
O
1 & 3 = EMITTER
2 = COLLECTOR
4 = BASE
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BV
CBO
BV
CES
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
h
FE
C
ob
G
PE
η
ψ
I
C
= 80 mA
I
C
= 80 mA
I
C
= 80 mA
I
E
= 8.0 mA
V
CB
= 30 V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 28 V
V
CC
= 28 V
V
CC
= 28 V
V
SWR
= 3:1
T
C
= 25 C
O
TEST CONDITIONS
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
60
60
30
4.0
5.0
UNITS
V
V
V
V
mA
---
pF
dB
%
I
C
= 4.0 A
f = 1.0 MHz
P
out
= 100 W
P
out
= 100 W
ALL PHASE ANGLES
20
95
7.0
50
9.7
60
80
125
f = 400 MHz
f = 400 MHz
NO DEGRADATION IN OUTPUT POWER
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
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