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1N2927

产品描述germanium tunnel diode
文件大小21KB,共1页
制造商ASI [ASI Semiconductor, Inc]
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1N2927概述

germanium tunnel diode

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1N2927
GERMANIUM TUNNEL DIODE
PACKAGE STYLE TO-18
DESCRIPTION:
The
1N2927
is Designed for
Switching Applications in Industrial and
Miitary Applications.
MAXIMUM RATINGS
I
F
T
J
T
STG
T
SOLD
O
O
500
µA
-65 C to +150 C
-65 C to +200 C
10 S/250 C
O
O
O
NONE
CHARACTERISTICS
SYMBOL
I
P
I
V
V
P
V
V
V
F
I
R
T
C
= 25 C
O
TEST CONDITIONS
MINIMUM
90
TYPICAL
MAXIMUM
110
35
75
475
UNITS
µ
A
µ
A
mV
mV
mV
mA
I
F
= 110
µA
600
1000
1.0
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
REV. A
1/1
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