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FMMT3904

产品描述sot23 npn silicon planar switching transistors
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小45KB,共2页
制造商Zetex Semiconductors
官网地址http://www.zetex.com/
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FMMT3904概述

sot23 npn silicon planar switching transistors

FMMT3904规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Zetex Semiconductors
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.2 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)235
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.33 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)300 MHz

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SOT23 NPN SILICON PLANAR
SWITCHING TRANSISTORS
ISSUE 2 – SEPTEMBER 94
COMPLIMENTARY TYPES – FMMT3903 - FMMT3905
FMMT3904 - FMMT3906
FMMT3903
FMMT3904
C
B
E
PARTMARKING DETAIL –
FMMT3903 - 1W
FMMT3904 - 1A
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
CollectorEmitter Voltage
EmitterBase Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
VALUE
60
40
6
200
330
-55 to +150
UNIT
V
V
V
mA
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
FMMT3903
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
60
40
6
50
50
20
35
50
30
15
40
70
100
60
30
FMMT3904
MAX.
UNIT CONDITIONS.
V
V
V
50
50
I
C
=10µA, I
E
=0
I
C
=1mA, I
B
=0*
I
E
=10µA, I
C
=0
MAX. MIN.
60
40
6
Collector Base
V
(BR)CBO
Breakdown Voltage
CollectorEmitter
V
(BR)CEO
Breakdown Voltage
EmitterBase
V
(BR)EBO
Breakdown Voltage
CollectorEmitter
CutOff Current
Base CutOff
Current
Static Forward
Current Transfer
Ratio
I
CEX
I
BEX
h
FE
nA V
CE
=30V, V
BE(off)
=3V
nA V
CE
=30V, V
EB(off)
=3V
I
C
=0.1mA, V
CE
=1V*
I
C
=1mA, V
CE
=1V*
I
C
=10mA, V
CE
=1V*
I
C
=50mA, V
CE
=1V*
I
C
=100mA, V
CE
=1V*
V
V
V
V
I
C
=10mA, I
B
=1mA*
I
C
=50mA, I
B
=5mA*
I
C
=10mA, I
B
=1mA*
I
C
=50mA, I
B
=5mA*
150
300
CollectorEmitter
V
CE(sat)
Saturation Voltage
BaseEmitter
V
BE(sat)
Saturation Voltage
Transition
Frequency
Output
Capacitance
f
T
C
obo
0.65
250
0.2
0.3
0.85
0.95
0.65
300
4
8
0.2
0.3
0.85
0.95
MHz I
C
=10mA, V
CE
=20V
f=100MHz
4
8
pF
pF
V
CB
=5V, I
E
=0, f=100KHz
V
BE
=0.5V, I
C
=0, f=100KHz
Input Capacitance C
ibo
78

FMMT3904相似产品对比

FMMT3904 FMMT3903
描述 sot23 npn silicon planar switching transistors sot23 npn silicon planar switching transistors
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Zetex Semiconductors Zetex Semiconductors
Reach Compliance Code unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 0.2 A 0.2 A
集电极-发射极最大电压 40 V 40 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 100 50
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e0 e0
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 175 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.33 W 0.33 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 300 MHz 250 MHz

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