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FMMT413

产品描述npn silicon planar avalanche transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小107KB,共2页
制造商Zetex Semiconductors
官网地址http://www.zetex.com/
标准
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FMMT413概述

npn silicon planar avalanche transistor

FMMT413规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Zetex Semiconductors
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.33 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)150 MHz
VCEsat-Max0.15 V

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SOT23 NPN SILICON PLANAR
AVALANCHE TRANSISTOR
PROVISIONAL DATASHEET ISSUE 2 – MARCH 1996
FEATURES
* Avalanche mode operation
* 50A Peak avalanche current
* Low inductance packaging
APPLICATIONS
* Laser LED drivers
* Fast edge generation
* High speed pulse generators
PARTMARKING DETAIL - 413
FMMT413
C
B
E
SOT23
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Peak Collector Current (25ns Pulse Width)
Power Dissipation
Operating and Storage Temperature Range
PARAMETER
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
Emitter-Base
Breakdown Voltage
Emitter Cut-Off Current
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Saturation Voltage
Current in Second
Breakdown (Pulsed)
Static Forward Current
Transfer Ratio
SYMBOL
V
(BR)CES
V
CEO(sus)
V
(BR)EBO
MIN.
150
50
6
0.1
0.1
0.15
0.8
22
31
50
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
P
tot
T
j
:T
stg
TYP.
MAX.
VALUE
150
50
6
100
50
330
-55 to +150
UNIT
V
V
V
µ
A
µ
A
UNIT
V
V
V
mA
A
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
CONDITIONS.
I
C
=100
µ
A
I
C
=10mA
I
E
=100
µ
A
V
CB
=120V
V
EB
=4V
I
C
=10mA, I
B
=1mA
I
C
=10mA, I
B
=1mA
V
C
=110V, C
CE
=4.7nF*
V
C
=130V, C
CE
=4.7nF*
I
C
=10mA, V
CE
=10V
Collector Cut-Off Current I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
V
BE(sat)
I
USB
h
FE
V
V
A
A
*Measured within a circuit possessing an approximate loop inductance of 12nH. The I
(USB)
monitor
circuitry reflects 0.15 Ohm into the Collector-Emitter Discharge Loop
The FMMT413 device is a development product. Samples availability and release to production
scheduled for June 1996
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