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LMUN5116DW1T1G

产品描述dual bias resistor transistors
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小343KB,共12页
制造商LRC
官网地址http://www.lrc.cn
标准
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LMUN5116DW1T1G概述

dual bias resistor transistors

LMUN5116DW1T1G规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称LRC
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)160
元件数量2
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.385 W
表面贴装YES
晶体管元件材料SILICON

LMUN5116DW1T1G相似产品对比

LMUN5116DW1T1G LMUN5113DW1T1G LMUN5115DW1T1G LMUN5111DW1T1G
描述 dual bias resistor transistors dual bias resistor transistors dual bias resistor transistors dual bias resistor transistors
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
厂商名称 LRC LRC LRC LRC
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
最小直流电流增益 (hFE) 160 80 160 35
元件数量 2 2 2 2
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.385 W 0.385 W 0.385 W 0.385 W
表面贴装 YES YES YES YES
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
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