gaasp photodiode
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Hamamatsu |
包装说明 | TO-8, 2 PIN |
Reach Compliance Code | unknown |
配置 | SINGLE |
最大暗电源 | 0.1 nA |
红外线范围 | NO |
标称光电流 | 0.0012 mA |
安装特点 | THROUGH HOLE MOUNT |
功能数量 | 1 |
最高工作温度 | 60 °C |
最低工作温度 | -10 °C |
光电设备类型 | SCHOTTKY PHOTO DIODE |
峰值波长 | 610 nm |
最长响应时间 | 0.000012 s |
最小反向击穿电压 | 5 V |
最大反向电压 | 5 V |
半导体材料 | Silicon |
形状 | ROUND |
尺寸 | 10.5 mm |
表面贴装 | NO |
G1127-02 | G2119 | G1126-02 | |
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描述 | gaasp photodiode | gaasp photodiode | gaasp photodiode |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Hamamatsu | Hamamatsu | Hamamatsu |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
最大暗电源 | 0.1 nA | 5 nA | 0.05 nA |
红外线范围 | NO | NO | NO |
标称光电流 | 0.0012 mA | 0.006 mA | 0.0003 mA |
安装特点 | THROUGH HOLE MOUNT | THROUGH HOLE MOUNT | THROUGH HOLE MOUNT |
功能数量 | 1 | 1 | 1 |
最高工作温度 | 60 °C | 60 °C | 60 °C |
最低工作温度 | -10 °C | -10 °C | -10 °C |
光电设备类型 | SCHOTTKY PHOTO DIODE | SCHOTTKY PHOTO DIODE | SCHOTTKY PHOTO DIODE |
峰值波长 | 610 nm | 610 nm | 610 nm |
最长响应时间 | 0.000012 s | 0.000055 s | 0.0000035 s |
最小反向击穿电压 | 5 V | 5 V | 5 V |
最大反向电压 | 5 V | 5 V | 5 V |
半导体材料 | Silicon | Silicon | Silicon |
形状 | ROUND | RECTANGULAR | ROUND |
表面贴装 | NO | NO | NO |
包装说明 | TO-8, 2 PIN | - | TO-5, 2 PIN |
尺寸 | 10.5 mm | - | 5.9 mm |
Base Number Matches | - | 1 | 1 |
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