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G1127-02

产品描述gaasp photodiode
产品类别光电子/LED    光电   
文件大小168KB,共4页
制造商Hamamatsu
官网地址http://www.hamamatsu.com
标准
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G1127-02概述

gaasp photodiode

G1127-02规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Hamamatsu
包装说明TO-8, 2 PIN
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
最大暗电源0.1 nA
红外线范围NO
标称光电流0.0012 mA
安装特点THROUGH HOLE MOUNT
功能数量1
最高工作温度60 °C
最低工作温度-10 °C
光电设备类型SCHOTTKY PHOTO DIODE
峰值波长610 nm
最长响应时间0.000012 s
最小反向击穿电压5 V
最大反向电压5 V
半导体材料Silicon
形状ROUND
尺寸10.5 mm
表面贴装NO

G1127-02相似产品对比

G1127-02 G2119 G1126-02
描述 gaasp photodiode gaasp photodiode gaasp photodiode
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 Hamamatsu Hamamatsu Hamamatsu
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最大暗电源 0.1 nA 5 nA 0.05 nA
红外线范围 NO NO NO
标称光电流 0.0012 mA 0.006 mA 0.0003 mA
安装特点 THROUGH HOLE MOUNT THROUGH HOLE MOUNT THROUGH HOLE MOUNT
功能数量 1 1 1
最高工作温度 60 °C 60 °C 60 °C
最低工作温度 -10 °C -10 °C -10 °C
光电设备类型 SCHOTTKY PHOTO DIODE SCHOTTKY PHOTO DIODE SCHOTTKY PHOTO DIODE
峰值波长 610 nm 610 nm 610 nm
最长响应时间 0.000012 s 0.000055 s 0.0000035 s
最小反向击穿电压 5 V 5 V 5 V
最大反向电压 5 V 5 V 5 V
半导体材料 Silicon Silicon Silicon
形状 ROUND RECTANGULAR ROUND
表面贴装 NO NO NO
包装说明 TO-8, 2 PIN - TO-5, 2 PIN
尺寸 10.5 mm - 5.9 mm
Base Number Matches - 1 1

 
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