4.9A, and 5.6A, 80v and 100v, 0.54 and 0.74 ohm, N-channel power mosfets
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Harris |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 4 A |
最大漏极电流 (ID) | 5.6 A |
最大漏源导通电阻 | 0.54 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 43 W |
最大功率耗散 (Abs) | 20 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 20 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
最大关闭时间(toff) | 42 ns |
最大开启时间(吨) | 47 ns |
IRF510 | IRF513 | IRF511 | |
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描述 | 4.9A, and 5.6A, 80v and 100v, 0.54 and 0.74 ohm, N-channel power mosfets | 4.9A, and 5.6A, 80v and 100v, 0.54 and 0.74 ohm, N-channel power mosfets | 4.9A, and 5.6A, 80v and 100v, 0.54 and 0.74 ohm, N-channel power mosfets |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Harris | Harris | Harris |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
外壳连接 | DRAIN | DRAIN | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 100 V | 80 V | 80 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 4 A | 4.9 A | 5.6 A |
最大漏极电流 (ID) | 5.6 A | 4.9 A | 5.6 A |
最大漏源导通电阻 | 0.54 Ω | 0.74 Ω | 0.54 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | 175 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 43 W | 43 W | 43 W |
最大功率耗散 (Abs) | 20 W | 43 W | 43 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 20 A | 18 A | 20 A |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
最大关闭时间(toff) | 42 ns | 42 ns | 42 ns |
最大开启时间(吨) | 47 ns | 47 ns | 47 ns |
峰值回流温度(摄氏度) | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
处于峰值回流温度下的最长时间 | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
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