256k nonvolatile Sram(256k 非易失性静态ram)
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | DALLAS |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最长访问时间 | 200 ns |
| 其他特性 | BATTERY BACK-UP |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-N28 |
| 内存密度 | 262144 bit |
| 内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 28 |
| 字数 | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 32KX8 |
| 可输出 | YES |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | DUAL |
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