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DS1230Y-70-IND

产品描述256k nonvolatile sram
产品类别存储    存储   
文件大小212KB,共12页
制造商DALLAS
官网地址http://www.dalsemi.com
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DS1230Y-70-IND概述

256k nonvolatile sram

DS1230Y-70-IND规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称DALLAS
包装说明DIP-28
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间70 ns
其他特性10 YEARS DATA RETENTION PERIOD
JESD-30 代码R-PDIP-T28
JESD-609代码e0
内存密度262144 bit
内存集成电路类型NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.005 A
最大压摆率0.085 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL

 
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