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MRF4427R1

产品描述RF & microwave discrete low power transistors
文件大小207KB,共5页
制造商Advanced Power
官网地址http://advancedpower.ch/
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MRF4427R1概述

RF & microwave discrete low power transistors

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MRF4427, R1, R2
RF & MICROWAVE DISCRETE
LOW POWER TRANSISTORS
Features
Low Cost SO-8 Plastic Surface Mount Package.
S-Parameter Characterization
Tape and Reel Packaging Options Available
Low Voltage Version of MRF3866
Maximum Available Gain – 20dB(typ) @ 200MHz
R1 suffix–Tape and Reel, 500 units
R2 suffix–Tape and Reel, 2500 units
SO-8
DESCRIPTION:
Designed for general-purpose RF amplifier applications,
such as; pre-drivers, Oscillators, etc.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Tcase = 25
°
C)
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Value
20
40
2.0
400
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mA
Thermal Data
P
T
stg
R
D
Total Device Dissipation @ TC = 25º C
Derate above 25º C
Storage Temperature
1.5
12.5
-65 to + 150
Watts
mW/ º C
ºC
º C/W
θJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
125
MRF4427.PDF 4-24-03
Advanced Power Technology reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Visit our website at
WWW.ADVANCEDPOWER.COM
or contact our factory direct.

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