Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, TSOP2-50
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| Objectid | 1154958724 |
| 包装说明 | TSOP2, TSOP50,.46,32 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 6 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 143 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| 交错的突发长度 | 1,2,4,8 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G50 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 20.95 mm |
| 内存密度 | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度 | 16 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 50 |
| 字数 | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | -5 °C |
| 组织 | 1MX16 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSOP2 |
| 封装等效代码 | TSOP50,.46,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 电源 | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 2048 |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 连续突发长度 | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流 | 0.002 A |
| 最大压摆率 | 0.17 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 10.16 mm |
| T431616A-7S | T431616A-7SI | T431616A-7CI | T431616A-7C | T431616A | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, TSOP2-50 | 1M x 16 sdram | Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, BGA-60 | Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, BGA-60 | 1M x 16 sdram |
| Objectid | 1154958724 | - | 1154958720 | 1154958721 | - |
| 包装说明 | TSOP2, TSOP50,.46,32 | - | VFBGA, BGA60,7X15,25 | VFBGA, BGA60,7X15,25 | - |
| Reach Compliance Code | unknown | - | unknown | unknown | - |
| ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 | EAR99 | - |
| 访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST | - | DUAL BANK PAGE BURST | DUAL BANK PAGE BURST | - |
| 最长访问时间 | 6 ns | - | 6 ns | 6 ns | - |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | - | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | - |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 143 MHz | - | 143 MHz | 143 MHz | - |
| I/O 类型 | COMMON | - | COMMON | COMMON | - |
| 交错的突发长度 | 1,2,4,8 | - | 1,2,4,8 | 1,2,4,8 | - |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G50 | - | R-PBGA-B60 | R-PBGA-B60 | - |
| 长度 | 20.95 mm | - | 10.1 mm | 10.1 mm | - |
| 内存密度 | 16777216 bit | - | 16777216 bit | 16777216 bit | - |
| 内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM | - | SYNCHRONOUS DRAM | SYNCHRONOUS DRAM | - |
| 内存宽度 | 16 | - | 16 | 16 | - |
| 功能数量 | 1 | - | 1 | 1 | - |
| 端口数量 | 1 | - | 1 | 1 | - |
| 端子数量 | 50 | - | 60 | 60 | - |
| 字数 | 1048576 words | - | 1048576 words | 1048576 words | - |
| 字数代码 | 1000000 | - | 1000000 | 1000000 | - |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | - | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | - |
| 最高工作温度 | 70 °C | - | 85 °C | 70 °C | - |
| 最低工作温度 | -5 °C | - | -40 °C | -5 °C | - |
| 组织 | 1MX16 | - | 1MX16 | 1MX16 | - |
| 输出特性 | 3-STATE | - | 3-STATE | 3-STATE | - |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
| 封装代码 | TSOP2 | - | VFBGA | VFBGA | - |
| 封装等效代码 | TSOP50,.46,32 | - | BGA60,7X15,25 | BGA60,7X15,25 | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | - | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | - |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified | - |
| 刷新周期 | 2048 | - | 2048 | 2048 | - |
| 座面最大高度 | 1.2 mm | - | 1 mm | 1 mm | - |
| 自我刷新 | YES | - | YES | YES | - |
| 连续突发长度 | 1,2,4,8,FP | - | 1,2,4,8,FP | 1,2,4,8,FP | - |
| 最大待机电流 | 0.002 A | - | 0.002 A | 0.002 A | - |
| 最大压摆率 | 0.17 mA | - | 0.17 mA | 0.17 mA | - |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | - | 3.6 V | 3.6 V | - |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V | - | 3 V | 3 V | - |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | - | 3.3 V | 3.3 V | - |
| 表面贴装 | YES | - | YES | YES | - |
| 技术 | CMOS | - | CMOS | CMOS | - |
| 温度等级 | COMMERCIAL | - | INDUSTRIAL | COMMERCIAL | - |
| 端子形式 | GULL WING | - | BALL | BALL | - |
| 端子节距 | 0.8 mm | - | 0.65 mm | 0.65 mm | - |
| 端子位置 | DUAL | - | BOTTOM | BOTTOM | - |
| 宽度 | 10.16 mm | - | 6.4 mm | 6.4 mm | - |
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