DIODE 330 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AB, Rectifier Diode
参数名称 | 属性值 |
包装说明 | O-CUPM-H1 |
Reach Compliance Code | unknown |
其他特性 | HIGH SURGE CAPABILITY |
应用 | HIGH VOLTAGE HIGH POWER |
外壳连接 | CATHODE |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
JEDEC-95代码 | DO-205AB |
JESD-30 代码 | O-CUPM-H1 |
最大非重复峰值正向电流 | 8640 A |
元件数量 | 1 |
相数 | 1 |
端子数量 | 1 |
最高工作温度 | 180 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
最大输出电流 | 330 A |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | POST/STUD MOUNT |
认证状态 | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 1200 V |
表面贴装 | NO |
端子形式 | HIGH CURRENT CABLE |
端子位置 | UPPER |
Base Number Matches | 1 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved