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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> GS88236BD-250
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GS88236BD-250

产品描述512k x 18, 256k x 36 9mb scd/dcd sync burst srams
产品类别存储    存储   
文件大小716KB，共37页
制造商GSI Technology
官网地址http://www.gsitechnology.com/
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GS88236BD-250概述

512k x 18, 256k x 36 9mb scd/dcd sync burst srams

GS88236BD-250规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称GSI Technology
零件包装代码BGA
包装说明TBGA,
针数165
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.B
最长访问时间5.5 ns
其他特性FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY
JESD-30 代码R-PBGA-B165
JESD-609代码e0
长度15 mm
内存密度9437184 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度36
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量165
字数262144 words
字数代码256000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX36
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度13 mm

GS88236BD-250相似产品对比

GS88236BD-250 GS88236BD-300 GS88236BD-200I GS88236BD-150 GS88236BD-300I GS88236BB-200I GS88236BD-250I GS88236BD-150I GS88236BD-200
描述 512k x 18, 256k x 36 9mb scd/dcd sync burst srams 512k x 18, 256k x 36 9mb scd/dcd sync burst srams 512k x 18, 256k x 36 9mb scd/dcd sync burst srams 512k x 18, 256k x 36 9mb scd/dcd sync burst srams 512k x 18, 256k x 36 9mb scd/dcd sync burst srams 512k x 18, 256k x 36 9mb scd/dcd sync burst srams 512k x 18, 256k x 36 9mb scd/dcd sync burst srams 512k x 18, 256k x 36 9mb scd/dcd sync burst srams 512k x 18, 256k x 36 9mb scd/dcd sync burst srams
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 GSI Technology GSI Technology GSI Technology GSI Technology GSI Technology GSI Technology GSI Technology GSI Technology GSI Technology
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 TBGA, TBGA, TBGA, TBGA, TBGA, BGA, TBGA, TBGA, TBGA,
针数 165 165 165 165 165 119 165 165 165
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.A 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B
最长访问时间 5.5 ns 5 ns 6.5 ns 7.5 ns 5 ns 6.5 ns 5.5 ns 7.5 ns 6.5 ns
其他特性 FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY
JESD-30 代码 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B119 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 15 mm 15 mm 15 mm 15 mm 15 mm 22 mm 15 mm 15 mm 15 mm
内存密度 9437184 bit 9437184 bit 9437184 bit 9437184 bit 9437184 bit 9437184 bit 9437184 bit 9437184 bit 9437184 bit
内存集成电路类型 CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM
内存宽度 36 36 36 36 36 36 36 36 36
湿度敏感等级 3 3 3 3 3 3 3 3 3
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 165 165 165 165 165 119 165 165 165
字数 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 256000 256000 256000 256000 256000 256000 256000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 85 °C 70 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 70 °C
最低工作温度 - - -40 °C - -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -
组织 256KX36 256KX36 256KX36 256KX36 256KX36 256KX36 256KX36 256KX36 256KX36
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TBGA TBGA TBGA TBGA TBGA BGA TBGA TBGA TBGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.99 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1.27 mm 1 mm 1 mm 1 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 13 mm 13 mm 13 mm 13 mm 13 mm 14 mm 13 mm 13 mm 13 mm

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