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APT1001RSLC: 产品描述power mos VI is a new generation of low gate charge, high voltage N-channel enhancement mode power mosFETs; 文件大小35KB，共2页; 制造商Advanced Power; 官网地址http://advancedpower.ch/

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APT1001RSLC概述

power mos VI is a new generation of low gate charge, high voltage N-channel enhancement mode power mosFETs

	APT1001RSLC	APT10086BLC	APT10086SLC	APT1001RBLC	APT1001
描述	power mos VI is a new generation of low gate charge, high voltage N-channel enhancement mode power mosFETs	power mos vitm is a new generation of low gate charge, high voltage N-channel enhancement mode power mosFETs.	power mos vitm is a new generation of low gate charge, high voltage N-channel enhancement mode power mosFETs.	power mos VI is a new generation of low gate charge, high voltage N-channel enhancement mode power mosFETs	power mos VI is a new generation of low gate charge, high voltage N-channel enhancement mode power mosFETs

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