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BC860W

产品描述surface mount Si-epitaxial planartransistors
文件大小46KB,共2页
制造商DIOTEC
官网地址http://www.diotec.com/
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BC860W概述

surface mount Si-epitaxial planartransistors

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SMD Type
PNP General Purpose Transistor
BC859W,BC860W
Transistors
IC
Features
Low current (max. 100 mA).
Low voltage (max. 45 V).
1 Emitter
2 Base
3 Collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Peak collector current
Peak base current
Total power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Operating ambient temperature
Thermal resistance from junction to ambient
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
j
T
stg
R
amb
R
th j-a
BC859W
-30
-30
-5
-100
-200
-200
200
150
-65 to +150
-65 to +150
625
K/W
BC860W
-50
-45
Unit
V
V
V
mA
mA
mA
mW
www.kexin.com.cn
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