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HC114E

产品描述npn silicon transistor
文件大小497KB,共2页
制造商SHANTOU HUASHAN
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HC114E概述

npn silicon transistor

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NPN DIGITAL T R AN S I S T O R
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
 
APPLICATIONS
Switching Circuit,Interface Circuit.
HC114E
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
a
=25℃)
T
stg
——Storage
Temperature………………………… -55~150℃
T
j
——Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
——Collector
Dissipation…………………………………300mW
V
CBO
——Collector-Base
Voltage………………………………50V
V
CEO
——Collector-Emitter
Voltage……………………………50V
V
E B O
——Emitter
-Base Voltage……………………………… 10V
I
C
——Collector
Current……………………………………-100mA
TO-92S
1―Emitter,E
2―Collector,
C
3―Base,B
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T
a
=25℃)
Symbol
 
Characteristics
 
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
Collector Cut-off Current
Min
 
Typ
 
Max
 
Unit
 
Test Conditions
 
BV
CBO
BV
CEO
I
CBO
I
CEO
I
EBO
H
FE
 
V
CE(sat)
 
(½½)
R1
R2/R1
f
T
50 
50 
 
 
195 
30 
 
0.8 
1.0 
7.0 
0.8 
 
 
 
 
 
250 
 
0.1 
1.1 
2.0 
10 
1.0 
250 
 
 
0.1 
0.5 
360 
 
0.3 
1.5 
V 
V 
I
C
=10μA,
I
C
=0.1mA,
I
E
=0
I =0 
B
μA 
V
CB
=40V, I
E
=0
μA 
V
CE
=40V, I
B
=0
μA 
V
EB
=5V, I
C
=0
 
V 
V 
V
CE
=5V, I
C
=5mA 
I
C
=10mA, I
B
=0.5mA 
V
CE
=5V, I
C
=0.1mA 
Emitter
Cut-off Current
DC Current Gain 
Collector- Emitter Saturation Voltage 
I½½½½ O½ V½½½½½½
I½½½½ R½½½½½½½
R½½½½½½½ R½½½½
Current Gain-Bandwidth Product
(½½½)  I½½½½ O½½ V½½½½½½ 
4.0 
V 
V
CE
=0.2V, I
C
=10mA
13  K½½½   
1.2 
 
 
MH½ 
V
CE
=-10V, I
C
=-5mA
at2402程序的问题,
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