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P6SMB51A

产品描述600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小242KB,共4页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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P6SMB51A概述

600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA

P6SMB51A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大击穿电压53.6 V
最小击穿电压48.5 V
击穿电压标称值51 V
最大钳位电压70.1 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值反向功率耗散600 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压43.6 V
最大反向电流5 µA
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

 
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