GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) in SMR
®
Gehäuse
GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) in SMR
®
Package
SFH 4580
SFH 4585
SFH 4580
SFH 4585
Wesentliche Merkmale
•
•
•
•
•
GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
SMR
®
(Surface Mount Radial) Gehäuse
Für Oberflächenmontage geeignet
Gegurtet lieferbar
Gehäusegleich mit Fotodiode SFH 2500/
SFH 2505
• Hohe Zuverlässigkeit
• Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
• UL-Freigabe
Anwendungen
• IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern
• Gerätefernsteuerungen für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• Sensorik
• Diskrete Lichtschranken
• Diskrete Optokoppler
Typ
Type
SFH 4580
SFH 4585
1)
Features
•
•
•
•
•
Very highly efficient GaAlAs-LED
SMR
®
(Surface Mount Radial) package
Suitable for surface mounting (SMT)
Available on tape and reel
Same package as photodiode SFH 2500/
SFH 2505
• High reliability
• Spectral match with silicon photodetectors
• UL-approval
Applications
• IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
tape recorders, dimmers
• Remote control for steady and varying intensity
• Sensor technology
• Discrete interrupters
• Discrete optocouplers
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P1806
Q62702-P1799
Strahlstärkegruppierung
1)
(
I
F
= 100mA,
t
p
= 20 ms)
Radiant intensity grouping
1)
I
e
(mW/sr)
≥
25
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr
measured at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
2002-08-20
1
SFH 4580, SFH 4585
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom,
t
p
=
10
µs,
D
= 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand, freie Beinchenlänge
max. 10 mm
Thermal resistance, lead length between
package bottom and PC-board max. 10 mm
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
rel
Spectral bandwidth at 50% of
I
rel
I
F
= 100 m A
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip front to lens top
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
880
Einheit
Unit
nm
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40
…
+ 100
5
100
2.5
200
375
Einheit
Unit
°C
V
mA
A
mW
K/W
T
op
;
T
stg
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
R
thJA
∆λ
80
nm
ϕ
±
15
0.09
0.3
×
0.3
3.9
…
4.5
Grad
deg.
mm
2
mm
mm
A
L
×
B
L
×
W
H
2002-08-20
2
SFH 4580, SFH 4585
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
(cont’d)
Bezeichnung
Parameter
Schaltzeiten,
I
e
von 10% auf 90% und von 90%
auf 10%, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Switching times,
I
e
from 10% to 90% and from
90% to 10%,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Kapazität
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
Durchlaßspannung,
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Sperrstrom,
Reverse current
V
R
= 5 V
Gesamtstrahlungsfluß,
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
λ,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
λ,
I
F
= 100 mA
Symbol
Symbol
Wert
Value
0.6/0.5
Einheit
Unit
µs
t
r
,
t
f
C
o
15
pF
V
F
V
F
I
R
1.50 (≤ 1.8)
3.00 (≤ 3.8)
0.01 (≤ 1)
V
V
µA
Φ
e
25
mW
TC
I
– 0.5
%/K
TC
V
TC
λ
–2
0.25
mV/K
nm/K
2002-08-20
3
SFH 4580, SFH 4585
Strahlstärke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr
Radiant Intensity
I
e
in Axial Direction
at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
Bezeichnung
Parameter
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
I
e min
≥
25
mW/sr
I
e typ
225
mW/sr
2002-08-20
4
SFH 4580, SFH 4585
Relative Spectral Emission
I
rel
=
f
(λ)
100
Ι
rel
%
80
OHR00877
Radiant Intensity
I
e
I
e
100 mA
=
f
(
I
F
)
Single pulse,
t
p
= 20
µs
10
2
Ι
e
Ι
e (100mA)
10
1
OHR00878
Max. Permissible Forward Current
I
F
=
f
(
T
A
)
125
OHF01534
I
F
mA
100
60
10
0
75
40
10
-1
50
20
10
-2
25
0
750
10
-3
800
850
900
950 nm 1000
λ
10
0
10
1
10
2
10
3
mA 10
4
Ι
F
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 ˚C 100
T
Forward Current
I
F
=
f
(
V
F
), single pulse,
t
p
= 20
µs
10
1
OHR00881
Permissible Pulse Handling
Capability
I
F
=
f
(τ),
T
A
= 25
°C,
duty cycle
D
= parameter
10
4
mA
OHR00886
Forward Current vs. Lead Length
between the Package Bottom and
the PC-Board
I
F
=
f
(
I
),
T
A
= 25
°C
120
mA
OHR00949
Ι
F
A
Ι
F
0
10
D
= 0.005
0.01
0.02
0.05
10
3
0.1
0.2
Ι
F
100
80
10
-1
60
0.5
10
2
DC
t
p
40
10
-2
t
p
D
=
T
10
-3
Ι
F
20
0
1
2
3
4
5
6
V
V
F
8
T
10
1 -5
10 10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
s 10
2
t
p
0
0
5
10
15
20
25 mm 30
Radiation Characteristics
I
rel
=
f
(ϕ)
40
30
20
10
0
1.0
OHF00300
ϕ
50
0.8
60
0.6
70
0.4
80
90
0.2
0
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
2002-08-20
5
电子竞赛
京公网安备 11010802033920号
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