GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
SFH 400
SFH 401
SFH 400
SFH 401
Wesentliche Merkmale
• Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden
verbunden
• Hohe Zuverlässigkeit
• Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
• Hermetisch dichtes Metallgehäuse
• SFH 401: Gehäusegleich mit BPX 43, BPY 62
Anwendungen
• Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• IR-Gerätefernsteuerungen
• Sensorik
• Lichtgitter
Features
•
•
•
•
•
Cathode is electrically connected to the case
High reliability
Matches all Si-Photodetectors
Hermetically sealed package
SFH 401: Same package as BPX 43, BPY 62
Applications
•
•
•
•
Photointerrupters
IR remote control
Sensor technology
Light curtains
Typ
Type
SFH 400
SFH 401
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702P0096
Q62702P0097
Gehäuse
Package
18 A3 DIN 41876 (TO-18), Glaslinse, hermetisch dichtes
Gehäuse, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
’’)
18 A3 DIN 41876 (TO-18) glass lens, hermetically sealed
package, solder tabs lead spacing 2.54 mm (
1
/
10
’’)
2007-12-07
1
SFH 400, SFH 401
Grenzwerte
(
T
C
= 25
°C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
SFH 400
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
SFH 401
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlassstrom
Forward current
Stoßstrom,
t
p
=
10
µs,
D
= 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA
, t
p
= 20ms
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max
Spectral bandwidth at 50% of
I
max
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20ms
Abstrahlwinkel
Half angle
SFH 400
SFH 401
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
950
Einheit
Unit
nm
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40
…
+ 125
Einheit
Unit
°C
T
op
;
T
stg
T
op
;
T
stg
– 40
…
+ 100
°C
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
R
thJA
R
thJC
5
300
3
470
450
160
V
mA
A
mW
K/W
K/W
∆λ
55
nm
ϕ
ϕ
±
6
±
15
0.25
0.5
×
0.5
Grad
deg.
mm
2
mm
2
A
L
×
B
L
×
W
2007-12-07
2
SFH 400, SFH 401
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
(cont’d)
Bezeichnung
Parameter
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip front to lens top
SFH 400
SFH 401
Schaltzeiten,
I
e
von 10% auf 90% und von 90%
auf 10%, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Switching times,
Ι
e
from 10% to 90% and from
90% to 10%,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Kapazität
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
Durchlassspannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 5 V
Gesamtstrahlungsfluss
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
λ,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
λ,
I
F
= 100 mA
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
H
H
t
r
,
t
f
4.0
…
4.8
2.8
…
3.7
1
mm
mm
µs
C
o
40
pF
V
F
V
F
I
R
1.30 (≤ 1.5)
1.90 (≤ 2.5)
0.01 (≤ 1)
V
V
µA
Φ
e
8
mW
TC
I
– 0.55
%/K
TC
V
TC
λ
– 1.5
+ 0.3
mV/K
nm/K
2007-12-07
3
SFH 400, SFH 401
Gruppierung der Strahlstärke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr
Grouping of Radiant Intensity
I
e
in Axial Direction
at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
Bezeichnung
Parameter
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Symbol
Symbol
Wert
Value
SFH 400-2 SFH 400-3 SFH 401-2 SFH 401-3
Einheit
Unit
I
e min
I
e max
20
40
> 32
–
10
20
>16
–
mW/sr
mW/sr
I
e typ
.
300
320
120
190
mW/sr
2007-12-07
4
SFH 400, SFH 401
Radiation Characteristics, SFH 400,
I
rel
=
f
(ϕ)
40
30
20
10
0
1.0
OHR01883
ϕ
50
0.8
60
0.6
70
0.4
80
90
0.2
0
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
Radiation Characteristics, SFH 401,
I
rel
=
f
(ϕ)
40
30
20
10
0
1.0
OHR01884
ϕ
50
0.8
60
0.6
70
0.4
80
90
0.2
0
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
2007-12-07
5
京公网安备 11010802033920号
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