SMT Multi TOPLED
®
SFH 331
Wesentliche Merkmale
• SMT-Gehäuse mit rotem Sender (635 nm) und
Si-Fototransistor
• Geeignet für SMT-Bestückung
• Gegurtet lieferbar
• Sender und Empfänger getrennt ansteuerbar
• Geeignet für IR-Reflow Löten
Features
• SMT package with red emitter (635 nm) and
Si-phototransistor
• Suitable for SMT assembly
• Available on tape and reel
• Emitter and detector can be controlled
separately
• Suitable for IR-reflow soldering
Applications
• Data transmission
• Lock bar
• Infrared interface
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P1634
Anwendungen
• Datenübertragung
• Wegfahrsperre
• Infrarotschnittstelle
Typ
Type
SFH 331-JK
2001-02-22
1
SFH 331
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom (LED)
Forward current (LED)
Kollektorstrom (Transistor)
Collector current (Transistor)
Stoßstrom
Surge current
t
≤
10
µ
s,
D
= 0.005
Sperrspannung (LED)
Reverse voltage (LED)
Kollektor-Emitter Spannung (Transistor)
Collector-emitter voltage (Transistor)
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand Sperrschicht/Umgebung
Thermal resistance junction/ambient
Montage auf PC-Board
1)
(Padgröße
≥
16 mm
2
)
mounting on pcb
1)
(pad size
≥
16 mm
2
)
Sperrschicht / Lötstelle
junction / soldering joint
1)
Symbol
Symbol
LED
Wert
Value
Transistor
Einheit
Unit
T
op
T
stg
T
j
I
F
I
C
I
FM
– 40
…
+ 100 – 40
…
+ 100
°
C
– 40
…
+ 100 – 40
…
+ 100
°
C
+ 100
30
–
500
+ 100
–
15
75
°
C
mA
mA
mA
V
R
V
CE
P
tot
5
–
100
–
35
165
V
V
mW
R
thJA
R
thJS
450
450
K/W
350
–
K/W
PC-board: G30/FR4
Note: Die angegebenen Grenzdaten gelten für den Chip, für den sie angegeben sind, unabhängig vom
Betriebszustand des anderen.
The stated max. ratings refer to the specified chip regardless of the operating status of the other
one.
2001-02-22
2
SFH 331
Kennwerte LED
(
T
A
= 25
°
C)
Characteristics LED
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
I
F
= 10 mA
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
I
F
= 10 mA
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
rel max
Spectral bandwidth at 50% of
I
rel max
I
F
= 10 mA
Abstrahlwinkel bei 50% von
I
V
(Vollwinkel)
Viewing angle at 50% of
I
V
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
F
= 10 mA
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 5 V
Kapazität,
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
Schaltzeiten:
Switching times:
I
V
from 10% to 90%
I
V
from 90% to 10%
I
F
= 100 mA,
t
p
= 10
µ
s,
R
L
= 50
Ω
Lichtstärke (Gruppe JK)
Luminous intensity (group JK)
I
F
= 10 mA
(typ.)
(max.)
(typ.)
(max)
(typ.)
(typ.)
(typ.)
(typ.)
(typ.)
(typ.)
(typ.)
Symbol
Symbol
Wert
Value
635
Einheit
Unit
nm
λ
peak
λ
dom
628
nm
∆λ
45
nm
2
ϕ
120
2.0
2.6
0.01
10
12
Grad
deg.
V
V
V
F
V
F
I
R
I
R
C
o
µ
A
µ
A
pF
(typ.)
(typ.)
(typ.)
t
r
t
f
I
V
300
150
ns
ns
6 (4.0
…
12.5) mcd
2001-02-22
3
SFH 331
Kennwerte Fototransistor
(
T
A
= 25
°
C,
λ
= 950 nm)
Characteristics Phototransistor
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
Symbol
Symbol
Wert
Value
860
380
…
1150
Einheit
Unit
nm
nm
λ
S max
λ
S
= 10% von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10% of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
(∅
240
µ
m)
Radiant sensitive area
(∅
240
µ
m)
Abmessungen der Chipfläche
Dimensions of chip area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip surface to case surface
Halbwinkel
Half angle
Kapazität
Capacitance
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Dunkelstrom
Dark current
V
CE
= 25 V,
E
= 0
Fotostrom
Photocurrent
E
e
= 0.1 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise time/Fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 k
Ω
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
I
C
= 5
µ
A,
E
e
= 0.1 mW/cm
2
A
L
×
B
H
ϕ
0.045
0.45
×
0.45
0.5
…
0.7
mm
2
mm
×
mm
mm
Grad
deg.
pF
±
60
5.0
C
CE
I
CEO
1 (
≤
200)
nA
I
PCE
≥
16
µ
A
t
r
,
t
f
7
µ
s
V
CEsat
150
mV
2001-02-22
4
SFH 331
LED
Radiation Characteristics
I
rel
=
f
(
ϕ)
Phototransistor Directional Characteristics
S
rel
=
f
(
ϕ)
40˚
30˚
20˚
10˚
0˚
OHL01660
ϕ
1.0
50˚
0.8
0.6
60˚
0.4
70˚
0.2
80˚
90˚
100˚
1.0
0.8
0.6
0.4
0˚
20˚
40˚
60˚
80˚
100˚
120˚
0
LED
Relative Spectral Emission
I
rel
=
f
(
λ),
T
A
= 25
°
C,
I
F
=
20 mA
V(
λ
) =
Standard Eye Response Curve
100
%
Φ
rel
80
V
λ
60
OHL02350
40
20
super-red
0
400
450
500
550
600
650
λ
nm
700
2001-02-22
5
stm32/stm8
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
