Schmitt-Trigger IC im Mini-Sidelooker Gehäuse mit Linse
Schmitt-Trigger IC in Miniature Sidelooker Package with Lens
SFH 5140 F
SFH 5141 F
Wesentliche Merkmale
• Integrierter Schmitt-Trigger
• SFH 5140 F: Output active low
• SFH 5141 F: Output active high
• Miniatur-Gehäuse
Anwendungen
•
•
•
•
Optischer Schalter
Pulsformer
Zähler
Empfänger in Lichtschranken
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P5112
Q62702-P5113
Features
• Built-in Schmitt Trigger circuit
• SFH 5140 F: Output active low
• SFH 5141 F: Output active high
• Compact package
Applications
•
•
•
•
Optical threshold switch
Pulseformer
Counter
Receiver in interrupters
Gehäuse
Package
Miniatur-Gehäuse; Mittlerer Anschluß:
Ausgang (
V
out
); Tageslichtsperrfilter
Compact package; center lead: output (
V
out
);
daylight-cutoff filter
Typ
Type
SFH 5140 F
SFH 5141 F
2000-01-01
1
OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 5140 F, SFH 5141 F
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Versorgungsspannung
Supply voltage
Ausgangsspannung
Output voltage
Ausgangsstrom
Output current
Verlustleistung
Power dissipation
Kennwerte
(
T
A
= 25
°
C,
V
CC
= 5 V)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Ausgangsspannung „high“
Output voltage “high”
I
O
= 0
Ausgangsspannung „low“
Output voltage “low”
I
O
= 16 mA
Stromaufnahme
Supply current
V
CC
= 5 V
V
CC
= 18 V
Schaltschwelle,
λ
= 950 nm
Threshold
SFH 5140 F: “H”
¨
“L”
SFH 5141 F: “L”
¨
“H”
Hysterese
Hysteresis
Halbwinkel
Half angle
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
V
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40 … + 85
– 0.5 … + 20
– 0.5 … + 20
50
175
Einheit
Unit
T
op
;
T
stg
V
CC
V
O
I
O
P
tot
°
C
V
V
mA
mW
V
OH
V
CC
(> 4.0)
V
OL
0.15 (< 0.4)
V
I
CC
3.3 (< 5)
5.0
mA
E
e, ON
15 (< 50)
µW/cm
2
E
e, OFF
/
E
e, ON
ϕ
0.6
(0.5 … 0.9)
–
–
Grad
degr.
2000-01-01
2
OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 5140 F, SFH 5141 F
Kennwerte
(
T
A
= 25
°
C,
V
CC
= 5 V)
Characteristics
(cont’d)
Bezeichnung
Parameter
Anstiegszeit 10% bis 90%
Rise time 10% to 90%
R
L
= 280
Ω,
E
e
= 90
µW/cm
2
,
λ
= 950 nm
Abfallzeit 90% bis 10%
Fall time 90% to 10%
R
L
= 280
Ω,
E
e
= 90
µW/cm
2
,
λ
= 950 nm
Ausgangsverzögerungszeit
Propagation delay time “H”
¨
“L”
R
L
= 280
Ω,
E
e
= 90
µW/cm
2
,
λ
= 950 nm
Ausgangsverzögerungszeit
Propagation delay time “L”
¨
“H”
R
L
= 280
Ω,
E
e
= 90
µW/cm
2
,
λ
= 950 nm
Symbol
Symbol
Wert
Value
100
Einheit
Unit
ns
t
r
t
f
100
ns
5 (< 15)
µs
t
PHL
5 (< 15)
µs
t
PLH
Empfohlener Arbeitsbereich
Recommended Operating Conditions
Bezeichnung
Parameter
Versorgungspannung
Supply voltage
Ausgangsstrom
Output current
Symbol
Symbol
Wert
Value
4.5 … 18
< 16
Einheit
Unit
V
mA
V
CC
I
O
Zur Stabilisierung der Versorgung wird ein Stützkondensator (angeschlossen zwischen
V
CC
und GND) von typ. 0.1
µF
empfohlen.
A bypass capacitor, 0.1
µF
typical, connected between
V
CC
and GND is recommended in order to stabilize power supply
line.
2000-01-01
3
OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 5140 F, SFH 5141 F
SFH 5141 F (Active “High”)
SFH 5140 F (Active “Low”)
Voltage
Regulator
V
CC
Voltage
Regulator
V
CC
OUT
+
-
+
-
OUT
GND
OHF00518
GND
Figure 1
Block Diagram
V
CC
R
L
= 280
Ω
Input
V
CC
= 5 V
SFH 5140 F
SFH 5141 F
OUT
OUT
C
= 0.1
µ
F
R
= 47
Ω
GND
GND
OHF00520
Figure 2
Test Circuit for Switching and Response Time
SFH 5140 F (Active “Low”)
SFH 5141 F (Active “High”)
Input
50%
Input
50%
t
PHL
Output
t
PLH
90%
50%
10%
Output
t
PHL
t
PLH
90%
50%
10%
t
f
Figure 3
2000-01-01
t
r
t
r
t
f
OHF00519
Switching Time Definitions
4
OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 5140 F, SFH 5141 F
Relative Threshold
E
e,ON
/
E
e,ON (
V
cc = 5 V)
=
f
(
V
CC
)
E
e, ON
1.5
E
e, ON_5 V
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0
5
10
15
V
20
OHF00507
Supply Current
I
CC
=
f
(
V
CC
)
6
mA
OHF00510
Total Power Dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
200
mW
160
OHF00511
I
CC
P
tot
4
140
120
3
100
80
2
60
40
20
1
0
0
5
10
15
V
20
0
0
20
40
60
80 ˚C 100
V
CC
V
CC
T
A
Output Voltage
V
OL
=
f
(
I
OUT
,
V
CC
)
3.5
V
OL
V
3
2.5
2
1.5
5V
10 V
15 V
20 V
OHF00512
Supply Current vs. Ambient
Temperature
I
CC
=
f
(
T
A
,
V
CC
)
I
CC
6
mA
5
OHF00514
V
CC
= 20 V
V
CC
= 15 V
V
CC
= 10 V
V
CC
= 5 V
4
3
2
1
0.5
0
1
0
10
20
30
40 mA 50
0
-25
0
25
50
75 ˚C 100
I
OUT
T
A
2000-01-01
5
OPTO SEMICONDUCTORS