Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode
High Power Infrared Emitter
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
SFH 4500
SFH 4505
SFH 4500
SFH 4505
Nicht für Neuentwicklungen / Not for new designs
Wesentliche Merkmale
•
•
•
•
Leistungsstarke GaAs-LED (40mW)
Hoher Wirkunsgrad bei kleinen Strömen
Typische Peakwellenlänge 950nm
Engwinkliger SMT-Sidelooker
Features
•
•
•
•
High Power GaAs-LED (40mW)
High Efficiency at low currents
Typical peak wavelength 950nm
Narrow angle SMT-Sidelooker
Anwendungen
• Bauteil mit hoher Strahlstärke zur
Oberflächenmontage (SMT)
• Schnelle Datenübertragung mit
Übertragungsraten bis 100 Mbaud
(IR Tastatur, Joystick, Multimedia)
• Analoge und digitale Hi-Fi Audio- und
Videosignalübertragung
• Alarm- und Sicherungssysteme
• IR Freiraumdatenübertragung
• IR-Scheinwerfer für Kameras
Applications
• Device with high radiant intensity suitable for
surface mounting (SMT)
• High data transmission rate up to 100 Mbaud
(IR keyboard, Joystick, Multimedia)
• Analog and digital Hi-Fi audio and video signal
transmission
• Alarm and safety equipment
• IR free air data transmission
• IR spotlight for cameras
Typ
Type
SFH 4500
SFH 4505
1)
Bestellnummer Strahlstärkegruppierung
1)
(
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms)
Ordering Code Radiant Intensity Grouping
1)
I
e
(mW/sr)
Q65110A2642
Q65110A2643
85 (>25)
85 (>25)
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr / measured at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
2008-01-14
1
SFH 4500, SFH 4505
Grenzwerte
(
T
A
= 25 °C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlassstrom
Forward current
Stoßstrom
Surge current
t
p
= 10
µ
s,
D
= 0
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung,
freie Beinchenlänge max. 10 mm
Thermal resistance junction - ambient,
lead length between package bottom and PCB
max. 10 mm
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40 … + 100
3
100
2.2
Einheit
Unit
°C
V
mA
A
T
op
;
T
stg
V
R
I
F
(DC)
I
FSM
P
tot
R
thJA
180
375
mW
K/W
2008-01-14
2
SFH 4500, SFH 4505
Kennwerte
(T
A
= 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength of peak emission
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max
Spectral bandwidth at 50% of
I
max
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
Schaltzeiten,
I
e
von 10% auf 90% und
von 90% auf 10%
Switching times,
I
e
from 10% to 90% and
from 90% to 10%
I
F
= 100 mA,
t
P
= 20 ms,
R
L
= 50
Ω
Kapazität
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
Durchlassspannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 3 V
Gesamtstrahlungsfluss
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
Temperature coefficient of
I
e
or
Φ
e
I
F
= 100 mA
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
950
Einheit
Unit
nm
∆λ
40
nm
ϕ
±
10
0.09
0.3
×
0.3
10
Grad
deg.
mm
2
mm²
ns
A
L
×
B
L
×
W
t
r
,
t
f
C
o
35
pF
V
F
V
F
1.5
(≤
1.8)
3.2
(≤
4.3)
0.01 (≤ 10)
V
V
µA
I
R
Φ
e
40
mW
TC
I
– 0.44
%/K
2008-01-14
3
SFH 4500, SFH 4505
Kennwerte
(T
A
= 25 °C) (cont’d)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Temperaturkoeffizient von
V
F
Temperature coefficient of
V
F
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
λ
Temperature coefficient of
λ
I
F
= 100 mA
Symbol
Symbol
TC
V
Wert
Value
– 1.5
Einheit
Unit
mV/K
TC
λ
+ 0.2
nm/K
Strahlstärke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel von
Ω
= 0.01 sr
Radiant Intensity
I
e
in Axial Direction
measured at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
Bezeichnung
Parameter
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Symbol
Symbol
I
e min
I
e typ
I
e typ
Wert
Value
25
85
550
Einheit
Unit
mW/sr
mW/sr
mW/sr
2008-01-14
4
电源技术
京公网安备 11010802033920号
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