Ostar Observation
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
SFH 4730, SFH 4740
SFH 4730
SFH 4740
SFH 4740
SFH 4730
• Schwarzer Rahmen zur Streulichtminimierung
• 3 W optische Leistung
SFH 4740
• Weißer Rahmen für hohe Lichtleistung
• 3.6 W optische Leistung
Wesentliche Merkmale
•
•
•
•
•
•
Aktive Chipfläche 2.1 x 5.4 mm
2
max. Gleichstrom 1 A
niedriger Wärmewiderstand (2.8 K/W)
Emissionswellenlänge 850 nm
ESD-sicher bis 2 kV nach JESD22-A114-B
Augensicherheitsrichtlinien der IEC-Normen
60825-1 und 62471 müssen beachtet werden.
SFH 4730
• Black frame to minimize scattered light
• 3 W optical power
SFH 4740
• White frame to achieve high optical power
• 3.6 W optical power
Features
•
•
•
•
•
•
Active chip area 2.1 x 5.4 mm
2
max. DC-current 1 A
Low thermal resistance (2.8 K/W)
Spectral emission at 850 nm
ESD save up to 2 kV acc. to JESD22-A114-B
Eye safety precautions given in IEC 60825-1
and IEC 62471 have to be followed.
Anwendungen
•
•
•
•
Infrarotbeleuchtung für CMOS Kameras
Überwachungssysteme
IR-Datenübertragung
Fahrer-Assistenz Systeme
Applications
•
•
•
•
Infrared Illumination for CMOS cameras
Surveillance systems
IR Data Transmission
Driver assistance systems
Typ
Type
SFH 4730
SFH 4740
1)
Bestellnummer
Ordering Code
Q65110A5452
Q65110A6190
Strahlstärke
1)
(
I
F
= 1A,
t
p
= 20 ms)
Radiant intensity
1)
Ι
e
(mW/sr)
typ.1000
typ.1200
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr / measured at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr.
2007-08-13
1
SFH 4730, SFH 4740
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Sperrspannung
Reverse voltage
Vorwärtsgleichstrom,
T
B
1)
≤
85
°C
Forward current
Stoßstrom,
t
p
< 1 ms,
D
= 0.2,
T
B
≤
85
°C
Surge current
Leistungsaufnahme,
T
B
≤
85
°C
Power consumption
Thermische Verlustleistung,
T
B
≤
85
°C
Thermal power-dissipation
Wärmewiderstand Sperrschicht / Bodenplatte
Thermal resistance Junction / Base plate
1)
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40
…
+ 125
+ 145
0.5
1
2
24
21
2.8
Einheit
Unit
°C
°C
V
A
A
W
W
K/W
T
B, op
, T
B, stg
T
J
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
P
th
R
thJB
T
B
= Temperatur auf der Rückseite der Metallkernplatine / Temperature at the backside of the base plate.
2007-08-13
2
SFH 4730, SFH 4740
Kennwerte
(
T
B
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 1 A,
t
p
= 10 ms
Schwerpunkts-Wellenlänge der Strahlung
Centroid wavelength
I
F
= 1 A,
t
p
= 10 ms
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max
Spectral bandwidth at 50% of
I
max
I
F
= 1 A,
t
p
= 10 ms
Abstrahlwinkel
Half angle
Abmessungen der aktiven Chipfläche
1)
Dimension of the active chip area
Schaltzeiten,
I
e
von 10% auf 90% und von 90%
auf 10%,
I
F
= 1 A,
R
L
= 50
Ω
Switching times,
Ι
e
from 10% to 90% and from
90% to 10%,
I
F
= 1 A,
R
L
= 50
Ω
Durchlassspannung
Forward voltage
I
F
= 1 A,
t
p
= 100 µs
Gesamtstrahlungsfluss
Total radiant flux
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
SFH 4730
SFH 4740
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
Temperature coefficient of
I
e
or
Φ
e
I
F
= 1 A,
t
p
= 10 ms
Temperaturkoeffizient von
V
F
Temperature coefficient of
V
F
I
F
= 1 A,
t
p
= 10 ms
Temperaturkoeffizient von
λ
Temperature coefficient of
λ
I
F
= 1 A,
t
p
= 10 ms
1)
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
850
Einheit
Unit
nm
λ
centroid
845
nm
∆λ
40
nm
ϕ
±
60
2.1
×
5.4
10
Grad
deg.
mm²
ns
L
×
B
L
×
W
t
r
,
t
f
V
F
18 (≤ 24)
V
Φ
e
Φ
e
TC
I
3
3.6
– 0.5
W
W
%/K
TC
V
–2
mV/K
TC
λ,centroid
+ 0.2
nm/K
Die aktive Chipfläche besteht aus 10 einzelnen Chips mit je 1 x 1 mm².
The active chip area consists of 10 single chips with 1 x 1 mm² each.
2007-08-13
3
SFH 4730, SFH 4740
Strahlstärke
1)
Ι
e
Radiant Intensity
1)
Ι
e
Bezeichnung
Parameter
Symbol
SFH
4730-EA
Werte
Values
SFH
4730-EB
SFH
4740-EB
SFH
4740-FA
Einheit
Unit
Strahlstärke
Radiant Intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 20 ms
1)
Ι
e min
Ι
e max
630
1000
800
1250
800
1250
1000
1600
mW/sr
mW/sr
Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner 1.6:1)
Only one group in one packing unit (variation lower 1.6:1)
Abstrahlcharakteristik
Radiation Characteristics
I
rel
=
f
(ϕ)
40˚
30˚
20˚
10˚
0˚
OHL01660
ϕ
1.0
50˚
0.8
0.6
60˚
0.4
70˚
0.2
80˚
90˚
100˚
1.0
0.8
0.6
0.4
0˚
20˚
40˚
60˚
80˚
100˚
120˚
0
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4
SFH 4730, SFH 4740
Relative spektrale Emission
Relative Spectral Emission
I
rel
=
f
(λ),
T
B
= 25
°C
100
%
OHL01714
Durchlassstrom
Forward Current
I
F
=
f
(
V
F
),
T
B
= 25
°C,
Single pulse,
t
p
= 100
µs
I
F
10
1
A
OHF02930
Relativer Gesamtstrahlungsfluss
Relative Total Radiant Flux
Φ
e
/Φ
e
(1000mA) =
f
(
I
F
),
T
B
= 25
°C,
Single pulse,
t
p
= 100
µs
Φ
e
10
1
OHF02931
Φ
e (1000 mA)
10
0
10
0
I
rel
80
5
60
10
-1
40
10
-1
5
10
-2
20
5
0
700
750
800
850
nm 950
10
-2
10
12
14
16
18
20 V 22
10
-3 1
10
5 10
2
5 10
3
mA 10
4
λ
V
F
I
F
Max. zulässiger Durchlassstrom
Max. Permissible Forward Current
I
F
=
f
(
T
B
),
R
thJB
= 2.8 K/W
1200
mA
OHF02973
Zulässige Impulsbelastbarkeit
Permissible Pulse Handling
Capability
I
F
=
f
(t
p
),
T
B
≤
85
°C,
Duty cycle
D
= parameter
2.3
I
F
A
2.1
2.0
1.9
OHF02974
I
F
D
=
T
t
P
t
P
I
F
T
800
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
D
=
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.35
0.5
1
600
400
200
0
0
20
40
60
80
100 ˚C 130
T
B
0.9
-6 -5 -4 -3 -2 -1 0
10 10 10 10 10 10 10
t
p
s 10
2
2007-08-13
5
京公网安备 11010802033920号
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